Les spécifications
Numéro de modèle :
Le nombre de fois où les données sont utilisées
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimum de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T, Western Union,
Capacité à fournir :
1000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après réception du paiement
Détails de l'emballage :
Emballé dans le plateau d'origine, puis en carton, enfin en sac à bulles pour l'emballage extérieur
type d'emballage :
Sac de ruban adhésif à plateau à rouleaux
Température de fonctionnement :
-40°C à 125°C
Emballage / boîtier :
WSON-8
Type de montage :
DSM/SMT
Code de la date de fabrication :
2024 et plus
Fonction :
Pas à pas
Définition

SI2333DDS-T1-GE3

CARACTÉRISTIQUES

• MOSFET de puissance TrenchFET®

• 100 % Rg testé

• Catégorisation des matériaux : Pour les définitions de conformité, veuillez consulter

APPLICATIONS

• Smartphones et tablettes

- Commutateur de charge

- Commutateur de batterie

Aperçu
Le Sl2333DDS-T1-GE3 est un MOSFET canal P 20 V avancé dans un boîtier sC-70-3 ultra-compact, optimisé pour les applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité et à espace limité. Avec sa commande de niveau logique de 1,8 V et son Rds(on) ultra-faible de 0,0459, il offre des performances supérieures dans les appareils électroniques portables, les systèmes automobiles et les appareils IoT.

Informations

Catégorie
Mfr
Série
Emballage
Bande et bobine (TR)
Coupe de bande (CT)
Digi-Reel®
Statut de la pièce
Active
Type de FET
Technologie
Tension drain-source (Vdss)
12 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 °C
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
1,5 V, 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5 A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1 V @ 250 µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1275 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (Max)
1,2 W (Ta), 1,7 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier du dispositif du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier / Boîtier
Numéro de produit de base

Dessin

SI2333DDS-T1-GE3 20V MOSFET P-Channel 4.1A Courant continu 0,045Ω Rds ((on) 1,8V Disque de niveau logique TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 -55°C à +150°C AEC-Q101 Qualifié

Notre avantage :

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100 % neuves et originales, ROHS
  • Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
  • Service professionnel --- tests de qualité stricts avant l'expédition et service après-vente parfait après l'achat.
  • Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
  • Livraison rapide --- nous expédierons les marchandises dans un délai de 1 à 3 jours ouvrables après la confirmation du paiement.

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Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à tout obtenir pour la nomenclature de la carte de circuit imprimé, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres comprennent :
Circuit intégré, circuits intégrés de mémoire, diode, transistor, condensateur, résistance, varistance, fusible, potentiomètre et potentiomètre, transformateur, batterie, câble, relais, commutateur, connecteur, bornier, cristal et oscillateur, inductance, capteur, transformateur, pilote IGBT, LED, LCD, convertisseur, PCB (carte de circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Fort en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

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SI2333DDS-T1-GE3 20V MOSFET P-Channel 4.1A Courant continu 0,045Ω Rds ((on) 1,8V Disque de niveau logique TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 -55°C à +150°C AEC-Q101 Qualifié

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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Verified Supplier
10 Années
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Fabricant
Total annuel :
>10000000
Nombre de salariés :
>20
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission