Les spécifications
Numéro de modèle :
FM24CL64B-GTR
Lieu d'origine :
Chine
Quantité de commande minimale :
1
Conditions de paiement :
T / T, Western Union,
Capacité d'offre :
1000pcs par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Détails d'emballage :
Emballé dans un plateau d'origine d'abord, puis Carton, enfin un sac à bulles pour l'emb
Fonction :
Step-up, débarqueur
Configuration de sortie :
Positif ou négatif
Topologie :
Buck, boost
Type de sortie :
Réglable
Nombre de sorties :
1
Définition
FM24CL64B-GTR 64Kb Série F-RAM
Principales caractéristiques
  • Mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique (F-RAM) de 64 Kb organisée en 8K × 8
  • Une résistance élevée de 100 trillions (1014) lire/écrire
  • Conservation des données pendant 151 ans
  • NoDelayTM écrit
  • Interface série rapide à deux fils (I2C) jusqu'à une fréquence de 1 MHz
  • Faible consommation d'énergie: courant actif de 100 μA (type)
  • Fonctionnement à tension: VDD = 2,7 V à 3,65 V
  • Plage de température industrielle: -40°C à +85°C
  • Disponible dans les paquets SOIC et DFN à 8 broches
  • Conforme à la réglementation RoHS
Attributs du produit
Attribut Valeur
Fonction Pas en avant, pas en arrière
Configuration de sortie Positif ou négatif
Topologie Buck, soutiens
Type de sortie Réglable
Nombre de sorties 1
Description du produit

La FM24CL64B est une mémoire non volatile de 64 Kbits utilisant un procédé ferroélectrique avancé.Il offre une conservation fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

Contrairement à EEPROM, le FM24CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus.Les données sont écrites à la matrice de mémoire immédiatement après chaque octet est transférée avec succès à l'appareilLe prochain cycle de bus peut commencer sans qu'il soit nécessaire d'effectuer un sondage de données.

Spécifications techniques
Type de mémoire Non volatils
Format de mémoire Le FRAM
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de mémoire 64 Kbit
Organisation de la mémoire 8K x 8
Interface de mémoire Le secteur privé
Fréquence d'horloge 1 MHz
Temps d'accès 550 ns
Voltage - alimentation 2.7V à 3.65V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Dessin du produit
FM24CL64B-GTR 64Kb Série F-RAM avec une endurance illimitée 150ns Pas de retard d'écriture 1MHz Interface I2C 10^14 Cycles de lecture/écriture Opération basse consommation 3.3V
Nos avantages
  • Produits de haute qualité ∙ nos offres sont 100% neufs et originaux, ROHS
  • Prix compétitif bons canaux d'achat avec un bon prix
  • Service professionnel
  • Un inventaire adéquat avec le soutien de notre solide équipe d'achat
  • Livraison rapide nous expédierons les marchandises dans les 1-3 jours ouvrables suivant la confirmation du paiement
Catégories de produits

Nous fournissons une gamme complète de composants électroniques, y compris:

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  • Circuits intégrés mémoire
  • Diodes et transistors
  • Les condensateurs, résistances
  • Connecteurs, commutateurs
  • Et beaucoup d' autres composants
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FM24CL64B-GTR 64Kb Série F-RAM avec une endurance illimitée 150ns Pas de retard d'écriture 1MHz Interface I2C 10^14 Cycles de lecture/écriture Opération basse consommation 3.3V

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Numéro de modèle :
FM24CL64B-GTR
Lieu d'origine :
Chine
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1
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Capacité d'offre :
1000pcs par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
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Depuis 2006
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Fabricant
Total annuel :
>10000000
Nombre de salariés :
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