CSD25404Q3T 40V NexFETTM MOSFET P-Channel avec 8,5mΩ RDS ((on) 50A Courant 175°C Faible Qg 3,3 mm × 3,3 mm SON Package AEC-Q101 Conception qualifiée et sans halogène
Caractéristiques
• Qg et Qgd ultra-faibles
• Faible résistance thermique
• LowRDS (allumé)
• Sans halogène
• Conforme à la réglementation RoHS
• Plaquage des terminaux PbFree
• SON3,3 mm×3,3 mmPaquet en plastique
Applications
• Convertisseurs CC-DCC
• Gestion de la batterie
• Commutateur de charge
• Protection de la batterie
Définition
Ce MOSFET de puissance NexFETTM de 20 V, 5,5 mΩ est conçu pour minimiser les pertes dans les applications de gestion de la charge de conversion de puissance avec un SON de 3,3 mm × 3.Un emballage de 3 mm offrant une excellente performance thermique pour la taille de l'appareil.
Les informations sont fournies à la Commission.
Catégorie
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Mfr
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Série
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Emballage
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Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
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Statut de la partie
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss)
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20 V
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Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C
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Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé)
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1.8V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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6Pour les appareils à commande numérique:
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Vgs(th) (maximum) @ Id
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1.15V @ 250μA
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Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs
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14.1 nC @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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± 12V
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds
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2120 pF @ 10 V
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Caractéristique FET
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-
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Dissipation de puissance (max)
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2.8W (Ta), 96W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C à 150°C (TJ)
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Grade
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Qualification
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-
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Type de montage
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Monture de surface
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
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Pour les appareils à commande numérique, le numéro de série de la commande numérique est le numéro de série.
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Emballage / boîtier
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Numéro du produit de base
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Le dessin
Notre avantage:
Assurez-vous de répondre à vos besoins en toutes sortes de composants.Je suis désolé.
Liste des produits
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