CSD17309Q3 30V NexFETTM MOSFET N-Channel avec 3,6mΩ RDS ((on) 40A Courant continu 175°C Classification ultra-faible Qg 3mm×3mm SON Paquet AEC-Q101 Qualifié et sans Pb
Caractéristiques
• Optimisé pour 5VGateDrive
• Ultra-faible Qg et Qgd
• Faible résistance thermique
• AvalancheRated
• PbFreeTerminalPlating (Plâtage des terminaux en libre-service)
• Conforme à la réglementation RoHS
• sans halogène
• SON3,3 mm×3,3 mmPauquet en plastique
Applications
• NotebookPoints de chargement
• Réseaux de point de charge synchrone Buckin,
Télécommunications et systèmes informatiques
Définition
Ce 30 V,4.2 m NexFET puissance MOSFET est conçu pour minimiser les pertes dans les applications de conversion de puissance; et optimisé pour les applications d'entraînement à 5 V.
Les informations sont fournies à la Commission.
Catégorie
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Mfr
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Série
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Emballage
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Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
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Statut de la partie
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss)
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30 V
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Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C
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Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé)
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3V, 8V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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5.4mOhm @ 18A, 8V
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Vgs(th) (maximum) @ Id
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1.7V @ 250μA
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Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs
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10 nC @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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+10V, -8V
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds
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1440 pF @ 15 V
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Caractéristique FET
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Dissipation de puissance (max)
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2.8W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C à 150°C (TJ)
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Grade
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Qualification
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Type de montage
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Monture de surface
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
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Pour les appareils à commande numérique:
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Emballage / boîtier
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Numéro du produit de base
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Le dessin
Notre avantage:
Assurez-vous de répondre à vos besoins en toutes sortes de composants.Je suis désolé.
Liste des produits
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