Les spécifications
Numéro de modèle :
L12531-01
Lieu d'origine :
Japon
Quantité de commande minimale :
1
Conditions de paiement :
T / t
Délai de livraison :
30 jours
Détails d'emballage :
CARTON
Lieu d'origine: :
Japon
Matériau cible :
Tungstène
Méthode de communication :
Interface: RS-232C (connecteur D-Sub à 9 broches)
Définition
Source de rayons X à microfoyer 110 kV L12531-01
Source de rayons X à microfoyer 110 kV haute performance conçue pour les applications d'imagerie et d'analyse de précision.
CARACTÉRISTIQUES
Haute résolution : 2 μm (à 2 w) Cible de transmission
Fort grossissement
FOD (Distance foyer-objet) : 1 mm
Large angle du faisceau de rayons X : 120° Sans entretien
Source de rayons X à microfoyer de type scellé
APPLICATIONS
Inspection non destructive X-raycT
[Objets applicables]
Composants électroniques·Cartes de circuits imprimés·Composants plastiques·Composants métalliques
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Source de rayons X à microfoyer Hamamatsu 110 kV L12531-01

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Numéro de modèle :
L12531-01
Lieu d'origine :
Japon
Quantité de commande minimale :
1
Conditions de paiement :
T / t
Délai de livraison :
30 jours
Détails d'emballage :
CARTON
Fournisseur de contact
Source de rayons X à microfoyer Hamamatsu 110 kV L12531-01

SHENZHEN WEIMING PHOTOELECTRIC CO.,LTD.

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1 Années
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Depuis 2018
Niveau de certification :
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