Présentation du produit : Système de nettoyage de plaquettes de silicium pour semi-conducteurs
Conçu sur mesure pour la fabrication de semi-conducteurs de haute précision, ce système de nettoyage intégré combine des processus ultrasoniques multi-étapes pour fournir une pureté de surface inférieure au ppb, une condition préalable essentielle à la fabrication de plaquettes de silicium dans la production microélectronique de nœuds avancés (≤7 nm).
Mécanisme de nettoyage étape par étape:
- Nettoyage ultrasonique alcalin: Fonctionne à 40 kHz-80 kHz pour générer une cavitation contrôlée dans un milieu alcalin, éliminant efficacement les contaminants organiques (par exemple, les réserves photosensibles, les hydrocarbures) et les particules (≥1 μm) des surfaces des plaquettes et des structures à motifs. L'énergie ultrasonique à fréquence réglable assure un nettoyage uniforme sur les plaquettes de 4 "-12 ", y compris les bords biseautés et les surfaces arrière.
- Nettoyage ultrasonique acide: Utilise la même plage de fréquences dans des solutions acides pour cibler les impuretés inorganiques, en particulier les contaminants ioniques métalliques (Fe, Cu, Zn) et les couches d'oxyde natif (SiO₂). Cette étape utilise des micro-jets induits par cavitation pour déloger les particules de moins de 100 nm intégrées dans les tranchées ou les vias, validée par des compteurs de particules laser (≤5 particules/plaquette pour ≥0,1 μm).
- Cycle de rinçage à l'eau pure: Le rinçage final avec de l'UPW (eau ultra-pure, COT ≤3 ppb) élimine les produits chimiques résiduels, atteignant une résistivité de surface ≥18,2 MΩ·cm pour répondre aux normes SEMI F020 pour le traitement avant dépôt.
Spécifications techniques:
- Bande de fréquences ultrasonores: 40 kHz-80 kHz (multi-fréquences sélectionnables via PLC, optimisant l'intensité de cavitation pour le type de contamination)
- Température de traitement: 60 °C (contrôlée par PID, tolérance de ±0,5 °C) pour accélérer la réactivité chimique sans induire de contrainte sur la plaquette
- Compatibilité des matériaux: Composants mouillés en PFA et en alumine de haute pureté pour résister à la corrosion HF/H₂SO₄, empêchant le détachement de particules
Indicateurs de performance clés:
- Efficacité d'élimination des particules (PRE) ≥99,9 % pour les contaminants ≥0,1 μm
- Élimination des résidus chimiques ≤0,1 ng/cm² (vérifié par ICP-MS)
- Compatible avec la manipulation automatisée des cassettes (FOUP/SMIF) pour une intégration en usine 24 h/24 et 7 j/7
Application: Essentiel pour le nettoyage avant lithographie, post-CMP et avant implantation dans les chaînes de production de plaquettes logiques, de mémoire et de capteurs.
Mots-clés: Nettoyeur de plaquettes de semi-conducteurs, nettoyage ultrasonique alcalin/acide, rinçage UPW, 40-80 kHz, traitement à 60 °C, décontamination des plaquettes de silicium
Ce système garantit des performances de nettoyage constantes pour maximiser le rendement dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs à haut volume.