Les spécifications
Catégorie :
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :
100 mA
Statut du produit :
Dépassé
Type de transistor :
NPN
Type de montage :
Monture de surface
Fréquence - Transition :
12 GHz
le paquet :
bandeau
Série :
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :
6V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
-
Mfr :
Cel
Figure du bruit (dB Typ @ f) :
10,7 dB @ 2 GHz
Puissance maximale :
200mw
Les gains :
13dB
Emballage / boîtier :
SC-82A, SOT-343
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :
75 @ 30mA, 3V
Définition :
Les données sont fournies par le système d'exploitation de l'appareil.
Définition
Transistor RF NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Monture de surface
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :
100 mA
Statut du produit :
Dépassé
Type de transistor :
NPN
Type de montage :
Monture de surface
Fréquence - Transition :
12 GHz
Fournisseur de contact
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Années
shenzhen
Depuis 2013
Total annuel :
1.000.000.00-30.000.000.00
Nombre de salariés :
15~25
Niveau de certification :
Active Member
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