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SOT-323 SS8050W NPN Transistor planar épitaxial au silicium pour le courant élevé du collecteur
SOT-323 SS8050W NPN Transistor planar épitaxial au silicium pour le courant élevé du collecteur
Les spécifications
Numéro de modèle :
SS8050W
Lieu d'origine :
Dongguan en Chine
Quantité minimale de commande :
1000 pièces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité à fournir :
5000 pièces
Délai de livraison :
3weeks
Détails de l'emballage :
La norme
Définition

Transistor à bas bruit à haute fréquence SOT-323

 

Caractéristiques
 
- Le courant du collecteur.
- Complémentaire à la SS8550W.
- dissipation du collecteur:PC=200mW(TC=25°C)
 
 
Applications
 
- Un courant de collecteur élevé.
 
 
Informations sur les commandes
 
Numéro de type: SS8050W
Marquage: Y1
Code du colis:SOT-323
 

Caractéristiques électriques @ Ta=25 °C sauf indication contraire

 

Paramètre Le symbole Conditions d'essai Résultats Type de produit Maximum Unité
Voltage de rupture de la base du collecteur V ((BR) CBO IC=100μA,IE=0 40     V
Voltage de panne du collecteur-émetteur V ((BR) PDG IC = 2mA, IB = 0 25     V
Voltage de rupture émetteur-base V ((BR) EBO IE=-100μA, IC=0 5     V
Courant de coupure du collecteur Le CIBO VCB = 40V,IE = 0     0.1 μA
Courant de coupure du collecteur ICEO La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée.     0.1 μA
Courant de coupure de l'émetteur Le BIO VEB = 5V, IC = 0     0.1 μA
Gain de courant continu

 

hFE

 Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à: 120   400  
Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à: 40      
Voltage de saturation du collecteur-émetteur VCE (sat) IC = 800 mA, IB = 80 mA     0.5 V
Voltage de saturation de l'émetteur de base VBE (sat) IC = 800 mA, IB = 80 mA     1.2 V
Voltage de l'émetteur de base VBE Pour les appareils de type VCE, la valeur de l'éclairage doit être égale ou supérieure à:     1 V
Fréquence de transition FT La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à: 100     fréquences de fréquence

 

Classification de l'équipement électrique (1)

 

Le grade L H est Je
Portée 120 à 200 200 à 350 300 à 400

 

 

TYPIQUE Caractéristiques @Je vous en prie.= 25 °Cà moins Autrement spécifiée

SOT-323 SS8050W NPN Transistor planar épitaxial au silicium pour le courant élevé du collecteur

 

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Détails du produit
Numéro de modèle :
SS8050W
Lieu d'origine :
Dongguan en Chine
Quantité minimale de commande :
1000 pièces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité à fournir :
5000 pièces
Délai de livraison :
3weeks
Fournisseur de contact
SOT-323 SS8050W NPN Transistor planar épitaxial au silicium pour le courant élevé du collecteur

Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter
Produits principaux :
Varistance, Varistance de SMD, Varistance thermiquement protégée
Total annuel :
1,500,000-2,500,000
Nombre de salariés :
138~168
Niveau de certification :
Verified Supplier
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