Capacité forte de résister à la fréquence de commutation élevée actuelle de diodes de Schottky de montée subite
MBR20200.pdf
Caractéristiques des diodes Schottky
1. Résistance élevée au courant : peut supporter un courant de surtension élevé.
2. Faible tension de tenue inverse: la tension de tenue inverse générale du tube Schottky est généralement inférieure à 200 V, généralement autour de 100 V, ce qui limite l'utilisation de
3. Résistance à haute température : la température de jonction la plus élevée des tubes Schottky courants sur le marché est de 100°C, 125°C, 150% et 175°C (plus la température de jonction est élevée, meilleure est la résistance à haute température du produit. C'est-à-dire la température à laquelle le produit fonctionne Ce qui suit ne causera pas de panne).
4. Chute de tension directe : la chute de tension directe de la diode Schottky est bien inférieure à celle de la diode à récupération rapide, de sorte que sa propre consommation d'énergie est faible et son efficacité élevée.
5. Résistance à haute température : la température de jonction la plus élevée des tubes Schottky courants sur le marché est de 100°C, 125°C, 150% et 175°C (plus la température de jonction est élevée, meilleure est la résistance à haute température du produit. C'est-à-dire la température à laquelle le produit fonctionne Ce qui suit ne causera pas de panne).
Caractéristiques
1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS
Applications
1. Commutateur haute fréquence Alimentation
2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
SI(AV) |
10(2×5)A |
FV(max) |
0.7V (@Tj=125°C) |
Tj |
175 °C |
VRRM |
100V |
MESSAGE SUR LE PRODUIT
Modèle |
Marquage |
Emballer |
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
MBR10100S |
MBR10100S |
À-263 |
MBR10100R |
MBR10100R |
À-252 |
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)
Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
||
Tension inverse de crête répétitive |
VRRM |
100 |
V |
||
Tension de blocage CC maximale |
VCC |
100 |
V |
||
Courant direct moyen |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
par appareil
par diode |
SI(AV) |
10 5 |
UN |
Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC) |
IFSM |
120 |
UN |
||
Température de jonction maximale |
Tj |
175 |
°C |
||
Plage de température de stockage |
TSTG |
-40~+150 |
°C |