Les spécifications
Number modèle :
MBR10200
Point d'origine :
Dongguan Chine
MOQ :
négociation
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
2000000 par mois
Délai de livraison :
négociation
Détails de empaquetage :
Paquet/négociation d'exportation
Type :
Diode de Schottky
Caractéristiques :
Produit de RoHS
Type de paquet :
Par le trou
Max. Forward Current :
30A, 30A
Tension en avant de maximum :
0.9V, 0.9V
Tension inverse de maximum :
200V
Définition

Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des applications de protection de polarité

MBR10200.pdf


Une diode Schottky est un dispositif métal-semi-conducteur composé d'un métal noble (or, argent, aluminium, platine, etc.) A comme électrode positive et d'un semi-conducteur de type N B comme électrode négative, et la barrière de potentiel formée sur le la surface de contact des deux a des caractéristiques de rectification.Parce qu'il y a un grand nombre d'électrons dans le semi-conducteur de type N et seulement une petite quantité d'électrons libres dans le métal noble, les électrons diffusent de B avec une concentration élevée vers A avec une faible concentration.De toute évidence, il n'y a pas de trous dans le métal A et il n'y a pas de diffusion de trous de A vers B. Au fur et à mesure que les électrons continuent de diffuser de B vers A, la concentration d'électrons à la surface de B diminue progressivement et la neutralité électrique de surface est détruite. , formant ainsi une barrière de potentiel, et sa direction de champ électrique est B→A.Cependant, sous l'action du champ électrique, les électrons de A produiront également un mouvement de dérive de A → B, affaiblissant ainsi le champ électrique formé en raison du mouvement de diffusion.Lorsqu'une région de charge d'espace d'une certaine largeur est établie, le mouvement de dérive des électrons provoqué par le champ électrique et le mouvement de diffusion des électrons provoqué par différentes concentrations atteignent un équilibre relatif, formant une barrière Schottky.


Caractéristiques

1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS

Applications

1. Commutateur haute fréquence Alimentation

2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

SI(AV)

10(2×5)A

FV(max)

0.7V (@Tj=125°C)

Tj

175 °C

VRRM

100V

MESSAGE SUR LE PRODUIT

Modèle

Marquage

Emballer

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

À-263

MBR10100R

MBR10100R

À-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension inverse de crête répétitive

VRRM

100

V

Tension de blocage CC maximale

VCC

100

V

Courant direct moyen

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)

par appareil

par diode

SI(AV)

10 5

UN

Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC)

IFSM

120

UN

Température de jonction maximale

Tj

175

°C

Plage de température de stockage

TSTG

-40~+150

°C


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Fournisseur de contact
Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des applications de protection de polarité

Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter
Total annuel :
1,500,000-2,500,000
Nombre de salariés :
138~168
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission