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Diode à forte intensité de Schottky de résistance pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
Diode à forte intensité de Schottky de résistance pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
Les spécifications
Number modèle :
MBR20100
Point d'origine :
Dongguan Chine
MOQ :
négociation
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
2000000 par mois
Délai de livraison :
négociation
Détails de empaquetage :
Paquet/négociation d'exportation
Type :
Diode de Schottky
Caractéristiques :
Produit de RoHS
Type de paquet :
Par le trou
Max. Forward Current :
30A, 30A
Tension en avant maximale :
0.9V, 0.9V
Tension inverse de maximum :
200V
Définition

Diode de Schottky de résistance à haute intensité pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur

MBR20100.pdf

La structure de circuit interne d'un redresseur Schottky typique est basée sur un substrat semi-conducteur de type N, sur lequel une couche épitaxiale N avec de l'arsenic comme dopant est formée.L'anode utilise des matériaux tels que le molybdène ou l'aluminium pour constituer la couche barrière.Le dioxyde de silicium (SiO2) est utilisé pour éliminer le champ électrique dans la zone des bords et améliorer la valeur de la tension de tenue du tube.Le substrat de type N a une très faible résistance à l'état passant et sa concentration de dopage est 100 % supérieure à celle de la couche H.Une couche de cathode N+ est formée sous le substrat pour réduire la résistance de contact de la cathode.En ajustant les paramètres structurels, une barrière Schottky est formée entre le substrat de type N et le métal de l'anode, comme indiqué sur la figure.Lorsqu'une polarisation directe est appliquée aux deux extrémités de la barrière Schottky (le métal de l'anode est connecté au pôle positif de l'alimentation et le substrat de type N est connecté au pôle négatif de l'alimentation), la couche barrière Schottky devient plus étroit et sa résistance interne devient plus petite ;sinon, si Lorsqu'une polarisation inverse est appliquée aux deux extrémités de la barrière Schottky, la couche barrière Schottky devient plus large et sa résistance interne devient plus grande.


Caractéristiques

1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS

Applications

1. Commutateur haute fréquence Alimentation

2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

SI(AV)

10(2×5)A

FV(max)

0.7V (@Tj=125°C)

Tj

175 °C

VRRM

100V

MESSAGE SUR LE PRODUIT

Modèle

Marquage

Emballer

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

À-263

MBR10100R

MBR10100R

À-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension inverse de crête répétitive

VRRM

100

V

Tension de blocage CC maximale

VCC

100

V

Courant direct moyen

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)

par appareil

par diode

SI(AV)

10 5

UN

Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC)

IFSM

120

UN

Température de jonction maximale

Tj

175

°C

Plage de température de stockage

TSTG

-40~+150

°C

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Détails du produit
Number modèle :
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Dongguan Chine
MOQ :
négociation
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
2000000 par mois
Délai de livraison :
négociation
Fournisseur de contact
Diode à forte intensité de Schottky de résistance pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur

Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter
Produits principaux :
Varistance, Varistance de SMD, Varistance thermiquement protégée
Total annuel :
1,500,000-2,500,000
Nombre de salariés :
138~168
Niveau de certification :
Verified Supplier
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