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Diode de Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
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Les spécifications
Number modèle :
Diodes Schottky
Point d'origine :
Dongguan Chine
MOQ :
négociation
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
2000000 par mois
Délai de livraison :
négociation
Détails de empaquetage :
Paquet/négociation d'exportation
Type :
Diode de Schottky
Caractéristiques :
Structure commune de cathode
Matériel :
silicium
Max. Forward Current :
30A, 30A
Tension en avant maximale :
0.9V, 0.9V
Tension inverse de maximum :
200V
Définition

Diode Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur

MBR10100.pdf

La diode Schottky porte le nom de son inventeur, le Dr Schottky (Schottky), et SBD est l'abréviation de Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, en abrégé SBD).Le SBD n'est pas fabriqué selon le principe de la mise en contact du semi-conducteur de type P et du semi-conducteur de type N pour former une jonction PN, mais en utilisant le principe de la jonction métal-semi-conducteur formée par la mise en contact du métal et du semi-conducteur.Par conséquent, SBD est également appelée diode métal-semi-conducteur (contact) ou diode à barrière de surface, qui est une sorte de diode à porteur chaud.


Caractéristiques

1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS

Applications

1. Commutateur haute fréquence Alimentation

2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

SI(AV)

10(2×5)A

FV(max)

0.7V (@Tj=125°C)

Tj

175 °C

VRRM

100V

MESSAGE SUR LE PRODUIT

Modèle

Marquage

Emballer

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

À-263

MBR10100R

MBR10100R

À-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension inverse de crête répétitive

VRRM

100

V

Tension de blocage CC maximale

VCC

100

V

Courant direct moyen

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)

par appareil

par diode

SI(AV)

10 5

UN

Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC)

IFSM

120

UN

Température de jonction maximale

Tj

175

°C

Plage de température de stockage

TSTG

-40~+150

°C

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Détails du produit
Number modèle :
Diodes Schottky
Point d'origine :
Dongguan Chine
MOQ :
négociation
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
2000000 par mois
Délai de livraison :
négociation
Fournisseur de contact
Diode de Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
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Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter
Produits principaux :
Varistance, Varistance de SMD, Varistance thermiquement protégée
Total annuel :
1,500,000-2,500,000
Nombre de salariés :
138~168
Niveau de certification :
Verified Supplier
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