Fréquence de commutation élevée des diodes Schottky de perte de puissance faible pour les diodes de roue libre

MBR20200F.pdf

Diode Schottky La diode Schottky, également connue sous le nom de diode à barrière Schottky (SBD en abrégé), est un dispositif semi-conducteur à faible puissance et ultra-rapide.La caractéristique la plus notable est que le temps de récupération inverse est extrêmement court (peut être aussi petit que quelques nanosecondes) et que la chute de tension directe n'est que d'environ 0,4 V.Il est principalement utilisé comme diodes de redressement haute fréquence, basse tension et haute intensité, diodes de roue libre et diodes de protection.Il est également utile comme diodes de redressement et diodes de détection de petits signaux dans les circuits de communication micro-ondes.Il est plus courant dans les alimentations de communication, les convertisseurs de fréquence, etc.

Une application typique est dans le circuit de commutation du transistor bipolaire BJT, en connectant la diode Shockley au BJT pour serrer, de sorte que le transistor est en fait proche de l'état désactivé lorsqu'il est à l'état activé, augmentant ainsi la vitesse de commutation de le transistor.Cette méthode est la technique utilisée dans les circuits internes TTL des circuits intégrés numériques typiques tels que 74LS, 74ALS, 74AS, etc.

La principale caractéristique des diodes Schottky est que la chute de tension directe VF est relativement faible.Dans le cas d'un même courant, sa chute de tension directe est beaucoup plus faible.De plus, il a un temps de récupération court.Il présente également certains inconvénients: la tension de tenue est relativement faible et le courant de fuite est légèrement plus important.Il doit être considéré de manière globale lors du choix.

Caractéristiques

1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS

Applications

1. Commutateur haute fréquence Alimentation

2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

SI(AV)	10(2×5)A
FV(max)	0.7V (@Tj=125°C)
Tj	175 °C
VRRM	100V

MESSAGE SUR LE PRODUIT

Modèle	Marquage	Emballer
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	À-263
MBR10100R	MBR10100R	À-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)

Paramètre			Symbole	Valeur	Unité
Tension inverse de crête répétitive			VRRM	100	V
Tension de blocage CC maximale			VCC	100	V
Courant direct moyen	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	par appareil par diode	SI(AV)	10 5	UN
Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC)			IFSM	120	UN
Température de jonction maximale			Tj	175	°C
Plage de température de stockage			TSTG	-40~+150	°C