Les spécifications
Number modèle :
LXD8516
Point d'origine :
Dongguan, Guangdong, Chine
MOQ :
100 morceaux
Conditions de paiement :
T/T, PAYPAL
Capacité d'approvisionnement :
10,000,000 pièces par mois
Délai de livraison :
7-10 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
En vrac, 40Pcs/bag, 5Bag/Box = 200Pcs, 2000PCS = boîte 10 = sac 20 = 1 carton
Nom :
LDR dépendant de la lumière de résistance 8mm
Logement :
Métal
Diamètre de Norminal :
8mm
Température ambiante de température ambiante :
-30~+70℃
Résistance légère (à 10lux) :
4~10 KΩ
Résistance foncée (à 0 lux/minute) :
MΩ
Valeur gamma (à 100-10lux) :
0,6
Dissipation de puissance (à 25℃) :
100mW
Max Voltage (à 25℃) :
150VDC
Crête de réponse spectrale (à 25℃) :
560Nm
Définition

 

LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices de photorésistance de caisse en métal 8mm

 

DEMANDES TYPIQUES Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm


* éclair automatique pour des caméras

* contrôle photoélectrique

* contrôle de lumière de pièce

* contrôle de lumière de pièce
* Photomusical I.C.

* contrôle industriel

* Photoswitch

* jouets électroniques

 

 

Description Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

Les cellules photoconductrices de Cd est une résistance qui a fait du matériel de semi-conducteur, et le changement de conductibilité avec le variationg de luminance. Le canbe de cellules photoconductrices de Cd construit avec différentes figures et secteur lumineux basés sur les cellules photoconductrices de ce characteristic.CdS est très utilisé dans beaucoup d'industries, telles que des jouets, des lampes, la caméra, etc.

 

 

Caractéristiques Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

 

* époxyde encapsulé
* réponse rapide
* petite taille
* sensibilité élevée
* représentation de Rebliable
* bonne caractéristique de spectre

 

 

CHARACTERICTICS ÉLECTRO-OPTIQUE Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

 
Paramètres Characterictics Unités
Résistance légère (à 10lux) 4-10 KΩ
Résistance foncée (à 0 lux/minute) 0,5 MΩ
Valeur gamma (à 100-10lux) 0,6 r
Dissipation de puissance (à 25℃) 100 MW
Max Voltage (à 25℃) 150 Volts continu
Crête de réponse spectrale (à 25℃) 560 nanomètre
Température ambiante de température ambiante -30~+70
Temps de réponse Augmentation Mme 20
Temps de réponse Diminution Mme 30


 

L'information composante Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

Nom composant ROSH Avis
Revêtement de résine OUI --
Cd NON Composition que 100 pages par minute
Électrode OUI --
Substrat en céramique OUI --
Terminal d'avance OUI --

 

 

DESSIN SCHÉMATIQUE Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal

 

 

CONTOUR Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm (unité : millimètre)

 

Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal

 

 

Les spécifications de série du métal ont enfermé le CDS

 

 

Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal

Modèle P/N Tension maximale

Temp d'environnement

Spectral maximal

Lumière

Résistance

Résistance foncée

100/10

Réponse

temps

(nanomètre) Ev=10Lux @2856°K Ev=0Lux Mme
(Volts continu)   (KΩ) (MΩ) Temps de montée Temps de chute
TO-18 LXD4526 150 -30~+70 550 8-20 0,5 0,6 30 30
LXD4537 150 -30~+70 550 18-50 2 0,7 30 30
LXD4548 150 -30~+70 550 45-140 5 0,8 30 30
6 M LXD6516 150 -30~+70 550 5-10 0,5 0,6 30 30
LXD6528 150 -30~+70 550 8-20 4 0,7 20 30
LXD6537 150 -30~+70 550 18-50 10 0,75 20 30
LXD6548 150 -30~+70 550 45-140 20 0,85 20 30
TO-5 LXD8516 150 -30~+70 560 5-10 0,5 0,5 20 30
LXD8528 150 -30~+70 560 8-20 2 0,7 20 30
LXD8638 150 -30~+70 560 30-50 5 0,8 20 30
LXD8649 150 -30~+70 560 45-140 10 0,8 20 30
TO-8 LXD12528 250 -30~+70 560 8-20 2 0,6 20 30
LXD12537 250 -30~+70 560 18-50 5 0,7 20 30
LXD12549 250 -30~+70 560 45-140 10 0,8 30 30

 

 

RÉPONSE SPECTRALE Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal

 

 

ILLUNINANCE contre la RÉSISTANCE de PHOTO Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal

 

 

CONDITIONS D'ESSAI Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

Résistance légère
Résistance foncée
Résistance légère : Une source lumineuse (2856k) à 10Lux
Résistance foncée : data@10sec, après avoir découpé le r=Lg de la lumière 10Lux (R10/R100)
Réalisable
Changement de Tempture
Essai
Tempture de taille : : 70℃±5℃
Temps : 30M
Lumière d'Incideng : placement foncé
Temps de essai : 24hr
Bas tempture : : - 30℃±5℃
Temps : 30min
Lumière d'incident : au-dessus de l'obscurité plaçant comme a réutilisez, en examinant le temps : 24hr
Réalisable
Constant Tempture
Essai
Tempture : 40±5℃
Humidité : 90-95%
Lumière d'incident : placement foncé
Temps de essai : 48hr
Réalisable
Avance haut Tempture
Essai
À la racine de l'avance 90 degrés courbant, 5mm au-dessus de la racine, chargeant
charge 100g
Tempture de soudure : : 260℃
Temps de chauffage : Max.35, distance entre la soudure et base : 5mm
Réalisable

 

 

Paquet Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm

 

En vrac, _> 40Pcs /bag- > 5Bag/Box = 200Pcs 2000PCS = boîte 10 = sac 20 = 1 carton

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Dongguan Ampfort Electronics Co., Ltd.

Verified Supplier
5 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2014
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Exporter
Total annuel :
1850000-2340000
Nombre de salariés :
51~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission