Les spécifications
Number modèle :
PD57018-E
MOQ :
1000
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
5k-10k par jour
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
Paquet : QFN
Type :
circuit intégré
D/c :
2021+
Fréquence - commutation : :
Norme
De puissance de sortie :
18 W
Température de fonctionnement minimum :
- 65 C
Définition
Nom de produit : PD57018-E Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
Fabricant : STMicroelectronics Catégorie de produit : Transistors de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de rf (transistor MOSFET de rf)
Polarité de transistor : N-canal Technologie : SI
Courant Identification-continu de drain : 2,5 A tension claque de Vds-drain-source : 65 V
Source de Sur-drain du RDS sur la résistance : 760 mOhms Fréquence d'opération : 1 gigahertz
Gain : DB 16,5 De puissance de sortie : 18 W
Température de fonctionnement minimum : - 65 C Température de fonctionnement maximum : + 150 C
Style d'installation : SMD/SMT Paquet/cas : PowerSO-10RF-Formed-4
Paquet : Tube Marque : STMicroelectronics
Mode de la Manche : Amélioration Configuration : Simple
Transconductance en avant - minute : 1 S Taille : 3,5 millimètres
Longueur : 7,5 millimètres Sensibilité d'humidité : Oui
Dissipation puissance du palladium : 31,7 W Type de produit : Transistors de transistor MOSFET de rf
Série : PD57018-E Quantité de emballage d'usine : 400
Sous-catégorie : Transistors MOSFET Type : Transistor MOSFET de puissance de rf
Vgs - tension de Porte-source : 20 V Largeur : 9,4 millimètres
Poids spécifique : 3 g  

 

Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)

Demandez le dernier prix
Number modèle :
PD57018-E
MOQ :
1000
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
5k-10k par jour
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
Paquet : QFN
Fournisseur de contact
Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)
Transistors noirs de transistor MOSFET des transistors rf de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PD57018-E rf (transistor MOSFET de rf)

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Fabricant
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission