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Application à haute fréquence de protection de polarité de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
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Les spécifications
MOQ :
1500
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
3000000PCS/month
Délai de livraison :
5-15days
Détails de empaquetage :
Tube
Number modèle : :
HBR20200
Point d'origine : :
La Chine
Paquet :
TO-220C TO-220HF TO-263
SI (POIDS DU COMMERCE) :
20A
VRRM :
200V
Tj :
175℃
VF (maximum) :
0.75V
Définition

Approprié à la diode de barrière de changement à haute fréquence de l'alimentation d'énergie 20A 200V Schottky HBR20200 TO-220C TO-220HF TO-263

APPLICATIONS

diodes de roulement libres de commutateur de  d'énergie de  à haute fréquence d'alimentation, applications de protection de polarité

 

CARACTÉRISTIQUES

perte commune de puissance faible de  de structure de cathode de , anneau de garde fonctionnant élevé de  de la température de jonction de  de rendement élevé pour la protection de surtension, haut produit de RoHS de  de fiabilité

 

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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
STM32 IC, Stabilisateur IC de tension, Unité de microcontrôleur de MCU
Niveau de certification :
Verified Supplier
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