Élément de filtre métallique de 1 μmà l' échelle nanométrique)pour la purification des gaz par procédé à semi-conducteurs
Type de produit: fibre courte en acier inoxydable 316L ultrafin
Diamètre de la fibre: 1um/1,5um/2um disponible
Longueur de coupe: 80-100um
Composition chimique de la matière première ((Wt%))
Éléments |
C |
Je sais. |
Nom de l'entreprise
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Je ne sais pas
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Cr
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Je vous en prie.
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S
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P
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La norme
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≤ 003
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≤ 100
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≤ 2.00
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10 à 14
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16 à 18 ans
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2 à 3
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≤ 003
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≤ 0045
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Valeur
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0.028
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0.56
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0.5
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10.85
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16.97
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2.1
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0.003
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0.027
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Dans la fabrication de semi-conducteurs, le maintien de gaz de procédé de très haute pureté est essentiel pour prévenir les défauts et assurer des rendements élevés.m les milieux filtrants métalliques jouent un rôle essentiel dans la purification des gaz en éliminant les particules contaminantes tout en contribuant à la lutte contre la contamination moléculaire atmosphérique (CMO),qui est essentiel pour la fabrication avancée de plaquettes.
Filtration à haut rendement (1 μm de rétention)
Capture des particules sous-microniques qui pourraient causer des défauts dans les processus de photolithographie, de gravure et de dépôt.
Réduit le risque de contamination de la surface des plaquettes, améliorant le rendement.
Chimiquement inerte et résistante à la corrosion
Fabriqués à partir de matériaux de haute puretéd'acier inoxydable (316L), de nickel ou d'alliages fritspour la compatibilité avec les gaz agressifs (par exemple, HF, HCl, NH3).
Résistant à l'extraction de gaz, empêchant une contamination supplémentaire.
Capacité de commande AMC
Certains filtres métalliques avancés incorporenttraitements de surface ou revêtements(p. ex. passivation, électropolissage) pour réduire au minimum l'adsorption/désorption des organiques ou acides volatils.
Aide à se rencontrerLe système d'échantillonnage doit être conforme aux exigences suivantes:les exigences pour les procédés sensibles tels que la lithographie EUV.
Résistance à haute température et à haute pression
Des performances stables dans des conditions difficiles (jusqu'à 500 °C ou plus pour certains alliages).
Convient pourCVD, diffusion et implantation ioniqueLes conduites de gaz.
Longue durée de vie et nettoyabilité
Réutilisable après nettoyage (métodes ultrasoniques, chimiques ou thermiques), réduisant le coût de possession.
Conception de chute de basse pression pour un débit de gaz économe en énergie.
Livraison de gaz à très haute pureté (UHP)(N2, Ar, H2, O2, etc.)
Processus de gravure et de dépôt(CVD, PVD, ALD)
Photolithographe(Environnements EUV/DUV sensibles à l'AMC)
Filtration du gaz en vrac et au point d'utilisation (PoU)
Durabilité supérieurecontre les filtres polymères (qui peuvent dégrader et éliminer des particules).
Aucune perte de fibresContrairement aux filtres HEPA/ULPA traditionnels.
Une meilleure atténuation de l'AMCpar rapport aux filtres à particules standard.
Résultats de l'analyse(Contrôle des particules)
Le numéro de série(Classification AMC)
Pour les appareils électroniques(Normes de salle blanche)
Filtres métalliques de 1 μmest une solution robuste pour la purification des gaz semi-conducteurs, combinantfiltration des particules, contrôle AMC et résistance chimiquepour répondre aux exigences strictes de la fabrication avancée de plaquettes.