Le YP40601625T est un GaN HEMT de 30 watts, assorti en interne, conçu pour de multiples applications avec des fréquences de 4000 à 6000 MHz, en particulier de 5700 à 5900 MHz.Les performances sont garanties pour les applications opérant dans les fréquences mentionnées.Performance typique (sur les appareils à induction): VDD = 50 volts, IDQ = 110 mA, CW, Psat> 30W

Applications et caractéristiques

• Convient pour les infrastructures de communication sans fil, les radars commerciaux, les amplificateurs à large bande, les brouilleurs, les tests EMC, les ISM, etc.
• Opérations à haut rendement et à gain linéaire
• Paquet de normes industrielles améliorées thermiquement
• Processus de métallisation de haute fiabilité
• Excellente stabilité thermique et excellente dureté
• Conforme à la directive 2002/95/CE relative à la restriction des substances dangereuses (RoHS) NOTE importante: Séquence de biais appropriée pour les transistors GaN HEMT Lorsque le dispositif est allumé 1.Réglez VGS à la tension de débranchement (VP), typiquement 5 V 2. Allumez le VDS à la tension d'alimentation nominale (50 V) 3. Augmentez le VGS jusqu'à ce que le courant IDS soit atteint 4. Appliquez la puissance d'entrée RF au niveau souhaité Éteignez l'appareil 1. Éteignez la puissance RF 2.Réduire le VGS à VP, généralement 5 V 3. Réduire le VDS à 0 V 4. Éteindre le VGS

NOTE importante: Séquence de biais appropriée pour les transistors GaN HEMT

Allumer le dispositif

1.Réglez le VGS à la tension de débranchement (VP), généralement 5 V

2.Mettre en marche le VDS à tension nominale d'alimentation (50 V)

3. Augmenter le VGS jusqu'à ce que le courant IDS soit atteint

4Appliquer la puissance d'entrée RF au niveau souhaité

Éteindre le dispositif

1- Éteignez la radio.

2.Réduire le VGS à VP, typiquement 5 V

3- Réduire le VDS à 0 V.