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mémoire de Samsung

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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Mémoire parallèle volatile d'IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung

Délai de livraison：2 à 5 jours ouvrables

numéro de modèle：IS61C3216AL

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Beijing Yuchuang Qiji Technology Development Co., Ltd.

Samsung 32G DDR4 Serveur Ram 4RX4 2133 RECC PC3l 10600R

Délai de livraison：2-7 jours ouvrables

Définition：Samsung 32G DDR4 4RX4 2133 RAM du serveur RECC

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Shenzhen GS Electronic Technology Co., Ltd. CN

PORTÉE des puces de mémoire de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram FBGA-96 RDA inchangée

Number modèle：K4A4G165WF-BCTD

MOQ：1pcs

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Carte de mémoire EMMC intégrée BGA153 64 GB 128 GB 256 GB 512 GB puces de mémoire flash

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China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.

Carte de mémoire EMMC intégrée BGA153 64 GB 128 GB 256 GB 512 GB puces de mémoire flash

Lieu d'origine：La Chine

Capacité：8 Go à 512 Go

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Beijing Qianxing Jietong Technology Co., Ltd.

Barre 16G 32G 64G DDR4 2666 de mémoire de serveur de CCE de SAMSUNG RECC

Number modèle：Serveur Samsung de support de PowerEdge R740

MOQ：1

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MOORE AUTOMATION LIMITED

Moteur électrique sans brosse de C.C de CSM-02BLANT3 SAMSUNG

Capacité d'approvisionnement：10 morceaux par jour

MOQ：1

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Shenzhen CN Technology Co. Ltd..

Pièces de rechange de Samsung de dé de SM du dé CP avec le dé magnétique de carte PCB plaçant l'aiguille 7500003A/B

Capacité d'approvisionnement：100 PCs/jour

MOQ：1

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Shenzhen MercedesTechnology Co., Ltd.

Panneau d'affichage d'intérieur d'affichage à cristaux liquides de bâti de mur de 37 pouces, carte de la mémoire 2-36gb instantanée

Capacité d'approvisionnement：3,000pcs par mois

MOQ：50pcs

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Guang Zhou Sunland New Energy Technology Co., Ltd.

18650 batterie d'ion de lithium de 5C 2000MAH semblable avec Samsung pour EV

Capacité d'approvisionnement：CHAQUE SEMAINE 100000PCS

MOQ：500 PCs pour la cellule, 50pack pour des paquets de batterie

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Longue puce de mémoire flash Udp type C connecteur 128 Go 32 Go 2,0 3,0

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Shenzhen Suntrap Electronic Technology Co., Ltd.

Longue puce de mémoire flash Udp type C connecteur 128 Go 32 Go 2,0 3,0

Number modèle：UDP + TYPE C

MOQ：1

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Analyseur d'échantillonnage de gaz d'émission construit dans la pompe avec le système de refroidissement de carte de mémoire de l'écart-type 32g

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Shenzhen YuanTe Technology Co., Ltd. (Safegas)

Analyseur d'échantillonnage de gaz d'émission construit dans la pompe avec le système de refroidissement de carte de mémoire de l'écart-type 32g

Number modèle：SKY8000

MOQ：1 morceau

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Guangzhou Bimi Electronic Technology Co., Ltd.

Système de point de vente I3 sans bordure personnalisable avec mémoire Samsung DDR3 4G et capacité SSD 32G

Lieu d'origine：Guangdong, Chine

Service après-vente fourni：Support technique visuel, pièces de rechange libres, appui en ligne

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K9K8G08U0D-SCB0 SLC NAND puces de mémoire Flash parallèle 3.3V 8G-BIT 1G X 8 25NS 48 broches TSOP-I

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

K9K8G08U0D-SCB0 SLC NAND puces de mémoire Flash parallèle 3.3V 8G-BIT 1G X 8 25NS 48 broches TSOP-I

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Shenzhen Hometech Technology Co., Limited

USB 3,0 4GB/bâton à grande vitesse d'entraînement de stylo mémoire instantanée de 8GB/16GB/32GB USB 3,0 conduit le disque de Pendrives U de bâtons

Capacité d'approvisionnement：100000 pièces par mois

MOQ：50 pièces

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Angel Technology Electronics Co

K4S561632N-LC75 Composants électroniques de puce de CI de semi-conducteur de Samsung

Number modèle：K4S561632N-LC75

MOQ：10pieces

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Les États membres doivent fournir aux autorités compétentes les informations nécessaires pour les contrôler et les contrôler.

Délai de livraison：3 à 5 jours ouvrables

Numéro de modèle：MB85RC64APNF-G-JNERE1

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