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2 Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate GaN-Sur-SIC
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Les spécifications
Number modèle :
GaN-saphir 4inch
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
2pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, paypal
Capacité d'approvisionnement :
50pcs/month
Délai de livraison :
dans 20days
Détails de empaquetage :
conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
Substrat :
GaN-Sur-saphir
Couche :
Calibre de GaN
Épaisseur de couche :
1-5um
type de conductivité :
N/P
Orientation :
0001
Application :
puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence
application 2 :
dispositifs de 5G saw/BAW
épaisseur de silicium :
525um/625um/725um
Définition

2inch 4inch 4" 2" saphir a basé le film de GaN de calibres de GaN sur les fenêtres de GaN de substrats de GaN de gaufrettes de GaN de GaN-Sur-saphir de substrat de saphir

 

Propriétés de GaN

1) À la température ambiante, GaN est insoluble en eau, acide et alcali.

2)Dissous dans une solution alcaline chaude à un taux très lent.

3) Le NaOH, le H2SO4 et le H3PO4 peuvent rapidement corroder la qualité inférieure de GaN, peuvent être employés pour des ces détection de défaut en cristal de GaN de qualité inférieure.

4) GaN dans le HCL ou l'hydrogène, à température élevée présente des caractéristiques instables.

5) GaN est le plus stable sous l'azote.

Propriétés électriques de GaN

1) Les propriétés électriques de GaN sont les facteurs les plus importants affectant le dispositif.

2) Le GaN sans le dopage était n dans tous les cas, et la concentration en électron du meilleur échantillon était au sujet de 4* (10^16) /c㎡.

3) Généralement, les échantillons préparés de P sont fortement compensés.

Propriétés optiques de GaN

1) Le matériel large de semi-conducteur composé d'espace de bande avec la largeur de bande élevée (2.3~6.2eV), peut couvrir le vert jaune rouge, bleu, violet et le spectre ultraviolet, est jusqu'ici que tous les autres matériaux de semi-conducteur ne peuvent pas réaliser.

2) Principalement utilisé dans le dispositif luminescent bleu et violet.

Propriétés de GaN Material

1) La propriété à haute fréquence, arrivent à 300G hertz. (Le SI est 10G et la GaAs est 80G)

2) Propriété à hautes températures, travail à 300℃, très approprié normaux à environnement aérospatial, militaire et autre à hautes températures.

3) Le de glissement des électrons a la vitesse élevée de saturation, la basse conduction thermique constante et bonne diélectrique.

4) La résistance d'acide et d'alcali, résistance à la corrosion, peut être employée dans l'environnement dur.

5) Caractéristiques à haute tension, résistance à l'impact, fiabilité élevée.

6) Le pouvoir étendu, le matériel de transmission est très désireux.

 

Utilisation principale de GaN

1) diodes électroluminescentes, LED

2) transistors à effet de champ, FET

3) diodes lasers, LD

 
Spécifications
bleu de 2 pouces/vert LED Epi. Sur le saphir
 
 
 
Substrat
Type
Saphir plat
Polonais
Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)
Dimension
± 100 0,2 millimètres
Orientation
Avion de C (0001) outre d'angle vers le ± 0.1° du M-axe 0,2
Épaisseur
650 μm du ± 25
 
 
 
 
 
 
 
Épicouche
Structure (courant très réduit
conception)
uGaN de 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
Épaisseur/DST
5,5 ± 0.5μm/ <3>
Rugosité (Ra)
<0>
Longueur d'onde/DST
LED bleue
LED verte
465 ± 10 nanomètre < 1="">
525 ± 10 nanomètre <2>
Longueur d'onde FWHMs
< 20="" nm="">
< 35="" nm="">
Densité de dislocation
< 5="">
Particules (>20μm)
< 4="" pcs="">
Arc
< 50="">
Chip Performance (basé sur votre technologie de puce, ici pour
référence, taille<100>
Paramètre
Crête EQE
ΜA de Vfin@1
ΜA de Vr@-10
Ir@-15V
ESDHM@2KV
LED bleue
> 30%
2.3-2.5V
> 40V
< 0="">
> 95%
LED verte
> 20%
2.2-2.4V
> 25V
< 0="">
> 95%
Secteur utilisable
> 90% (bord et macro exclusion de défauts)
Paquet
Emballé dans un cleanroom dans un conteneur simple de gaufrette

 

 

 

2

 

Structure cristalline

Wurtzite
Constante de trellis (Å) a=3.112, c=4.982
Conduction à bande Bandgap direct
Densité (g/cm3) 3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop) 800
Point de fusion (℃) 2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K) 320
Énergie d'espace de bande (eV) 6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2) 1100
Champ électrique de panne (MV/cm) 11,7

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Détails du produit
Number modèle :
GaN-saphir 4inch
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
2pcs
Conditions de paiement :
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Capacité d'approvisionnement :
50pcs/month
Délai de livraison :
dans 20days
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
substrat de saphir, Saphir Windows optique, Gaufrette de carbure de silicium
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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