Des tubes de saphir sont scellés en continuant le procédé d'élevage en cristal. Ceci assure l'intégrité matérielle impeccable et la structure parfaite dans tout le tube entier de thermocouple.
Caractéristiques :
Sapphire Tube : Plasma de MW gravant à l'eau-forte le laser de spectroscopie/le semi-conducteur Mfg, optique, la défense/aérospatial, médicale, l'électronique systèmes de flash
Sapphire Rod/Pin : Pin de guide, Pin d'ascenseur pour de gaufrette de mfg le composant industriel de Mfg. Chamber Component semi, semi-conducteur Mfg, l'électronique
Sapphire Dome : Bouton de dôme de caméra de cône de missile, défense de crique de fenêtre de lentille/espace protecteur, puissance et énergie, technologie du consommateur
Sapphire Ingot/noyau : Recherche de matière première de supports optiques et plus haut Ed. ; Optique et Photonics
GÉNÉRALITÉS | ||
Formule chimique | Al2O3 | |
Crystal Stucture | Système hexagonal (HK o 1) | |
Dimension de cellules d'unité | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c : a=2.730 | |
EXAMEN MÉDICAL | ||
Métrique | Anglais (impérial) | |
Densité | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 |
Dureté | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700° F |
Point de fusion | 2310 K (2040° C) | |
STRUCTUREL | ||
Résistance à la traction | MPA 275 à MPA 400 | 40 000 à 58 000 livres par pouce carré |
Résistance à la traction à 20° C | 58 000 livres par pouce carré (conception mn) | |
Résistance à la traction à 500° C | 40 000 livres par pouce carré (conception mn) | |
Résistance à la traction à 1000° C | MPA 355 | 52 000 livres par pouce carré (conception mn) |
Stength de flexion | MPA 480 à MPA 895 | 70 000 à 130 000 livres par pouce carré |
Force de compression | 2,0 GPa (final) | 300 000 livres par pouce carré (de final) |
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