Les spécifications
Numéro de modèle :
BS816A-1
Lieu d'origine :
États-Unis
Quantité minimale de commande :
1 PCS
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité à fournir :
5000
Délai de livraison :
1 jour
Détails de l'emballage :
La norme
Code de la date :
Code le plus récent
Expédition par :
DHL/UPS/FEDEX
Condition :
Nouveau*Original
Garantie :
365 jours
sans plomb :
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation :
Envoi immédiat
Le paquet :
16POSN
Mode de montage :
DSM/SMT
Définition

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Les transistors RF

Diodes électroniques
Catégorie de produit: Amélioration du canal P
Pour les véhicules à moteur: Détails
-
16POSN
La norme
Poids unitaire: - Une once.

Ce transistor est adapté pour les amplificateurs de puissance RF dans diverses applications telles que la communication sans fil,

Les équipements de radiodiffusion et les équipements RF industriels.

● Mode d'amélioration du canal P
● Technologie des transistors DMOS
● Une grande capacité de traitement de la puissance
● Une large plage de fréquences
● Faible bruit
● Un gain élevé
● Une bonne linéarité
● Une légère distorsion du signal
● Conforme à la directive RoHS

Caractéristiques
• Voltage de rupture élevé
• Impédance d'entrée élevée
• Vitesse de commutation rapide
• Spécialement adapté aux sous-ensembles téléphoniques
• Idéal pour le montage automatique de la surface

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance




BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

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BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance
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Wisdtech Technology Co.,Limited

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Nombre de salariés :
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Niveau de certification :
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