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350um Épaisseur 4h-N 4H-SEMI SIC Wafer en carbure de silicium pour épitaxial
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Les spécifications
Number modèle :
sic gaufrettes 4inch
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
3PCS
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
1-50pcs/month
Délai de livraison :
1-6weeks
Détails de empaquetage :
paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériel :
Monocristal sic 4h-N
Grade :
Grade de production
Thicnkss :
1.5 mm
Suraface :
DSP
Application du projet :
épithaxial
Diamètre :
4inch
Couleur :
Verte
MPD :
< 1 cm à 2
Définition

 

Taille sur mesureLes ingots SIC de haute pureté 4H-N de diamètre de 6 pouces et de 150 mm de diamètre

Wafer sic 4 pouces mannequin de recherche de qualité 4H-N/SEMI taille standard

 

À propos du carbure de silicium (SiC)

Le carbure de silicium (SiC), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant du silicium et du carbone avec la formule chimique SiC.Le SiC est utilisé dans les appareils électroniques à semi-conducteurs fonctionnant à haute température ou à haute tensionSiC est également l'un des composants importants des LED, c'est un substrat populaire pour la culture de dispositifs GaN, et il sert également de répartiteur de chaleur dans les LED à haute puissance.

 

1- Décrit.
Les biens immobiliers 4H-SiC, cristal unique 6H-SiC, cristal unique
Paramètres de la grille a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å
Séquence d'empilement Le code ABC ABCACB
Dureté de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densité 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Coefficient de dilatation thermique 4 à 5 × 10 à 6/K 4 à 5 × 10 à 6/K
Indice de réfraction @750 nm

n = 2.61
ne = 2.66

n = 2.60
ne = 2.65
Constante diélectrique c~9.66 c~9.66
Conductivité thermique (type N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
C ~ 3,7 W/cm·K@298K

  
Conductivité thermique (semi-isolant)

a~4,9 W/cm·K@298K
C ~ 3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
C ~ 3,2 W/cm·K@298K
- Une bande. 3.23 eV 30,02 eV
Champ électrique de rupture 3 à 5 × 106 V/cm 3 à 5 × 106 V/cm
Vitesse de dérive de saturation 2.0 × 105 m/s 2.0 × 105 m/s

350um Épaisseur 4h-N 4H-SEMI SIC Wafer en carbure de silicium pour épitaxial

4H-N 4 pouces de diamètre Carbide de silicium (SiC) Spécification du substrat

2 pouces de diamètre Carbide de silicium (SiC) Spécification du substrat  
Grade Nul degré MPD Grade de production Grade de recherche Grade de factice  
 
Diamètre 100. mm±0,5 mm  
 
Épaisseur 350 μm±25 μm ou 500±25 μm Ou autre épaisseur personnalisée  
 
Orientation de la gaufre En dehors de l'axe : 4,0° vers < 1120> ± 0,5° pour 4H-N/4H-SI Sur l'axe : < 0001> ± 0,5° pour 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densité des micropipes ≤ 0 cm2 ≤ 1 cm2 ≤ 5 cm-2 ≤ 10 cm-2  
 
Résistance 4H-N 00,015 à 0,028 Ω•cm  
 
6H-N 00,02 à 0,1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm  
 
Le premier appartement {10-10} ± 5,0°  
 
Longueur plate primaire 18.5 mm±2,0 mm  
 
Longueur plate secondaire 10.0 mm±2,0 mm  
 
Orientation à plat secondaire Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine principale ±5,0°  
 
Exclusion des bords 1 mm  
 
TTV/Bow/Warp Pour les appareils de traitement des eaux usées  
 
Roughness (graisseuse) Ra≤1 nm polonais  
 
CMP Ra≤0,5 nm  
 
Les fissures dues à la lumière de haute intensité Aucune 1 permis, ≤ 2 mm Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm  
 
 
Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse Surface cumulée ≤ 1% Surface cumulée ≤ 1% Surface cumulée ≤ 3%  
 
Zones de polytypes par intensité lumineuse Aucune Surface cumulée ≤ 2% Surface cumulée ≤ 5%  
 
 
Écorchures par la lumière de haute intensité 3 rayures à 1 × longueur cumulée du diamètre de la wafer 5 rayures à 1 × longueur cumulée du diamètre de la plaque 5 rayures à 1 × longueur cumulée du diamètre de la plaque  
 
 
puce de bordure Aucune 3 sont autorisés, ≤ 0,5 mm chacun 5 permis, ≤ 1 mm chacune  

 

Affichage de production

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Catalogue de taille communeDans notre inventaire  
 

 

Type 4H-N / plaquette SiC de haute pureté/ingots
Wafer SiC de type N de type 4H de 2 pouces/ingots
Wafer SiC de type N 4H de 3 pouces
Plaquettes SiC de type N de type 4H de 4 pouces ou lingots
Wafer SiC de type N de 6 pouces 4H/ingots

4H semi-isolateur / haute puretéWafer au SiC

Wafer SiC semi-isolateur de 2 pouces 4H
Wafer SiC semi-isolateur de 3 pouces 4H
Wafer SiC semi-isolant de 4 pouces et 4H
Wafer SiC semi-isolateur de 6 pouces 4H
 
 
Wafer SiC de type N 6H
Wafer SiC de type N 6H de 2 pouces/ingot
 
Taille personnalisée pour 2-6 pouces
 

Applications du SiC

Domaines d'application

  • 1 appareils électroniques haute fréquence et haute puissance diodes Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • les diodes, les IGBT, les MOSFET
  • 2 appareils optoélectroniques: principalement utilisés dans les LED à matériau de substrat bleu GaN/SiC (GaN/SiC)

>Emballage et logistique
On s'occupe de chaque détail de l'emballage, nettoyage, anti-statique, traitement par choc.

Selon la quantité et la forme du produit, nous prendrons un processus d'emballage différent!

Questions fréquentes
Q1. Êtes-vous une usine?
A1. Oui, nous sommes un fabricant professionnel de composants optiques, nous avons plus de 8 ans d'expérience dans les plaquettes et le processus de lentilles optiques.
 
Q2. Quelle est la MOQ de vos produits?
A2. Pas de MOQ pour le client si notre produit est en stock, ou 1-10pcs.
 
Q3: Puis-je personnaliser les produits selon mes besoins?
A3.Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et le revêtement optique pour vos composants optiques selon vos exigences.
 
Comment puis-je obtenir un échantillon de vous?
A4. Envoyez-nous vos exigences, nous vous enverrons des échantillons en conséquence.
 
Q5. Combien de jours les échantillons seront terminés?
A5. Généralement, nous avons besoin de 1 à 2 semaines pour terminer la production d'échantillons. En ce qui concerne les produits de masse, cela dépend de votre quantité de commande.
 
Q6. Quel est le délai de livraison?
A6. (1) Pour les stocks: délai de livraison de 1 à 3 jours ouvrables. (2) Pour les produits sur mesure: délai de livraison de 7 à 25 jours ouvrables.
Selon la quantité.
 
Q7. Comment contrôlez-vous la qualité?
A7. Plus de quatre fois l'inspection de la qualité pendant le processus de production, nous pouvons fournir le rapport de test de qualité.
 
Qu'en est-il de votre capacité de production de lentilles optiques par mois?
A8. Environ 1000 pièces/mois. Selon les exigences de détail.

 

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Détails du produit
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MOQ :
3PCS
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1-50pcs/month
Délai de livraison :
1-6weeks
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NEW-ERA STEEL TUBE TECHNOLOGY CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
Depuis 1988
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
Tubes et tuyaux sans soudure, en acier de précision, Tube en acier étiré à froid sans couture, Tube de chaudière sans couture
Total annuel :
100000000-15000000
Nombre de salariés :
150~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
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