Wafer piézoélectrique LiNbO3 Le choix optimal pour les applications de conversion de fréquence
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Matériel |
Wafer LiNbO3 de 6' et 8" |
Les orientations |
Coupe en Z, coupe en Y128° sur 8' X, Y, Z, 36Y, 64Y, 128Y pour 6' |
Finition de surface |
Polissage à une ou deux faces (DLP/SLP/SSP/DSP sont tous disponibles) |
Épaisseur |
0.35 mm, 0.50 mm, 1.00 mm |
TTV |
< 5 μm |
- Je vous en prie. |
± 40um |
La distorsion. |
< 80 μm |
Le premier appartement |
47.5 mm ou 57.5 mm pour 6' Une encoche semi-standard pour 6' et 8' |
Côté poli Ra |
Roughness Ra<10A |
Critères du côté arrière |
Roughness Ra: Roughness Ra: Roughness Ra: Roughness Ra: Roughness0.5-1.0 μm GC#1000 |
Rondeur des bords |
Conforme à la norme SEMI M1.2/référence à la CEI62276 |
Structure cristalline |
Trigonale, groupe spatial R3c, groupe point 3m |
Point de fusion |
1253°C |
Dureté de Mohs |
5 |
Densité (g/cm)3) |
4.64 |
Délicescences |
Aucune |
Homogénéité optique |
~ 5x10- 5/cm |
Plage de transparence |
420 à 5200 nm |
Coefficient d'absorption |
~ 0,1%/cm @1064nm |
Questions fréquemment posées
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