MachineU > Produits chinois
Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante
Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante
Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante
Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante
Les spécifications
Number modèle :
Saphir (Al2O3)
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5 pièces
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux/mois
Délai de livraison :
1-4 semaines
Détails de empaquetage :
Cassette, pot, paquet de film
Matériel :
Sapphire Windows
Croissance :
Méthode de Kyropoulos
Point de fusion :
°C 2040
Conduction thermique :
27,21 avec (m X K) à 300 K
Dilatation thermique :
5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K
Dureté :
Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g
Capacité de chaleur spécifique :
419 j (kilogramme X K)
Constante diélectrique :
11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz
Définition

Gaufrette de Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric de semi-conducteur

 

Le saphir est un matériel d'une combinaison unique des propriétés physiques, chimiques et optiques, qui le rendent résistant à l'érosion de choc à hautes températures et thermique, d'eau et de sable, et de l'éraflure. C'est un matériel supérieur de fenêtre pour beaucoup d'applications d'IR de 3µm à 5µm. les substrats de saphir de C-avion sont très utilisés pour élever des composés d'III-V et d'II-VI tels que GaN pour la LED et les diodes lasers bleues, alors que des substrats de saphir de R-avion sont employés pour le dépôt hétéro-épitaxial du silicium pour des applications microélectroniques d'IC.

 

Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistanteÉraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistanteÉraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante

 

Article

C-avion 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99 999%, grande pureté, Al2O3 monocristallin

Catégorie

Principal, Epi-prêt

Orientation extérieure

C-avion (0001)

-angle de C-avion vers le M-axe 0,2 +/- 0.1°

Diamètre

76,2 millimètre +/- 0,1 millimètres

Épaisseur

μm 500 +/- μm 25

Orientation plate primaire

Un-avion (11-20) +/- 0.2°

Longueur plate primaire

22,0 millimètre +/- 1,0 millimètres

Latéral simple poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(SSP)

Surface arrière

La terre fine, Ra = 0,8 μm au μm 1,2

Double latéral poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(DSP)

Surface arrière

Epi-poli, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

ARC

< 15="">

CHAÎNE

< 15="">

Nettoyage/emballage

Cleanroom de la classe 100 nettoyant et emballant sous vide,

25 morceaux dans un emballage de cassette ou emballage d'une seule pièce.

 

Article

C-avion 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99 999%, grande pureté, Al2O3 monocristallin

Catégorie

Principal, Epi-prêt

Orientation extérieure

C-avion (0001)

-angle de C-avion vers le M-axe 0,2 +/- 0.1°

Diamètre

100,0 millimètre +/- 0,1 millimètres

Épaisseur

μm 650 +/- μm 25

Orientation plate primaire

Un-avion (11-20) +/- 0.2°

Longueur plate primaire

30,0 millimètre +/- 1,0 millimètres

Latéral simple poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(SSP)

Surface arrière

La terre fine, Ra = 0,8 μm au μm 1,2

Double latéral poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(DSP)

Surface arrière

Epi-poli, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

ARC

< 20="">

CHAÎNE

< 20="">

Nettoyage/emballage

Cleanroom de la classe 100 nettoyant et emballant sous vide,

25 morceaux dans un emballage de cassette ou emballage d'une seule pièce.

 

Article

C-avion 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99 999%, grande pureté, Al2O3 monocristallin

Catégorie

Principal, Epi-prêt

Orientation extérieure

C-avion (0001)

-angle de C-avion vers le M-axe 0,2 +/- 0.1°

Diamètre

150,0 millimètre +/- 0,2 millimètres

Épaisseur

μm 1300 +/- μm 25

Orientation plate primaire

Un-avion (11-20) +/- 0.2°

Longueur plate primaire

47,0 millimètre +/- 1,0 millimètres

Latéral simple poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(SSP)

Surface arrière

La terre fine, Ra = 0,8 μm au μm 1,2

Double latéral poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(DSP)

Surface arrière

Epi-poli, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

ARC

< 25="">

CHAÎNE

< 25="">

Nettoyage/emballage

Cleanroom de la classe 100 nettoyant et emballant sous vide,

25 morceaux dans un emballage de cassette ou emballage d'une seule pièce.

 

Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante

 

Contrôle d'acceptation

Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante

Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante

Demandez le dernier prix
Détails du produit
Number modèle :
Saphir (Al2O3)
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5 pièces
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux/mois
Délai de livraison :
1-4 semaines
Fournisseur de contact
Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante
Éraflure de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor résistante

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shanghai, hangzhou
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Trading Company
Produits principaux :
Plaquette piézoélectrique, Gaufrette LiNbO3, Gaufrette LiTaO3
Total annuel :
800M-1500M
Nombre de salariés :
10~99
Niveau de certification :
Verified Supplier
Découvrez des produits similaires
Voir plus

Trouver des produits similaires par catégorie:

Page d'accueil du fournisseur Produits Plaquette piézoélectrique
MachineU Produits chinois
Fournisseur de contact
Exigence de soumission