Wafer LiTaO3 pour filtre à large bande haute fréquence et transducteur piézoélectrique
Le LiTaO3 Crystal Wafer - un matériau révolutionnaire pour les applications optiques et électroniques avancées.et propriétés électro-optiques, ce qui le distingue des matériaux traditionnels.
La Wafer de cristal LiTaO3 présente des propriétés piézoélectriques exceptionnelles, convertissant les contraintes mécaniques en signaux électriques avec une grande sensibilité et précision.Cela en fait un choix idéal pour les capteurs, actionneurs et dispositifs de régulation de fréquence.
En outre, son indice de réfraction élevé et son faible coefficient d'absorption assurent des performances optiques supérieures.le rendant adapté aux systèmes d'imagerie haute résolution et aux composants optiques.
En outre, la Wafer de cristal LiTaO3 offre une excellente stabilité thermique et une résistance chimique, lui permettant de fonctionner de manière fiable dans un large éventail d'environnements.Sa stabilité dimensionnelle précise et son faible coefficient de dilatation thermique améliorent encore sa fiabilité et sa reproductibilité.
Que vous développiez des systèmes optiques avancés, des dispositifs piézoélectriques, ou toute autre instrumentation de précision, la Wafer de cristal LiTaO3 offre une solution de matériau supérieure.Ses propriétés uniques assurent des performances et une fiabilité de haute qualité, ce qui en fait un choix rentable pour vos applications les plus critiques.
Choisissez la gaufre en cristal LiTaO3 et expérimentez la différence de sensibilité piézoélectrique, de clarté optique et de performance.Laissez-nous vous aider à donner vie à vos innovations optiques et électroniques avancées.
Diamètre |
76.2 ± 0,2 mm |
100 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
Le premier appartement |
22 ± 1 mm |
32 ± 1 mm |
47.5 mm, 57.5 mm, encoche |
Les orientations |
Le nombre de points de contact est déterminé par le nombre de points de contact. |
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Épaisseur |
00,07 mm à 1,0 mm |
0.1 mm à 1.0 mm |
0.35 mm à 1,0 mm |
Finition de surface |
Polissage à une ou deux faces |
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TTV |
< 1 à 5 μm |
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- Je vous en prie. |
± (20 μm à 40 μm) |
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La distorsion. |
Pour les appareils de traitement de l'air |
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LTV (5 mm x 5 mm) |
< 1,5 μm |
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Le taux de conversion est le même que pour les autres types de produits. |
≥98% (5 mm*5 mm) à l'exclusion du bord de 2 mm |
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Côté poli Ra |
Roughness Ra <= 5A |
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Critères du côté arrière |
Roughness Ra: Roughness Ra: Roughness Ra: Roughness Ra: Roughness0.5-1.0 μm, GC#1000 |
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Scratch & Dig (S/D) |
20/10, 40/20, 60/40 |
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Profil de bord |
Compl't avec SEMI M1.2@ avec GC800#.regular à C tapé |
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Fractures, traces de scie, taches |
Aucune |
Structure cristalline |
Trigonale, groupe spatial R3c, groupe point 3m |
Paramètres de cellule |
a=5,154Å, c=13,781Å |
Point de fusion |
1650°C |
Température de Curie |
607°C |
Dureté de Mohs |
5.5 |
Densité |
70,46 g/cm3 |
Constantes diélectriques |
Le nombre d'étoiles est indiqué à l'annexe I.51.7 |
Le nombre d'étoiles est déterminé par la méthode suivante:44.5 |
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Coefficients de rigidité élastique |
CE11:2.33 ((×1011N/m2) |
CE33:2.77 ((×1011N/m2) |
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Constantes de contrainte piézoélectrique |
d22:2.4 ((×10-11C/N) |
d33:0.8 ((×10-11C/N) |
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Portée de transmission |
400 à 4500 nm |
Coefficients électro-optiques |
R33 = 30,4 ppm/V |
Indice de réfraction à 632,8 nm |
pas = 2.176, ne = 2.180 |
Questions fréquemment posées
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Vérification de l'acceptation
Je suis désolée.