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Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C
Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C
Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C
Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C
Les spécifications
Number modèle :
Saphir (Al2O3)
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5 morceaux
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux/mois
Délai de livraison :
1-4 semaines
Détails de empaquetage :
Cassette, pot, paquet de film
Matériel :
Saphir (Al2O3)
Type :
Crystal Al simple 2O3
Couleur :
Blanc
Surface :
Double poli latéral, poli latéral simple
Caractéristique :
Dureté de haute résistance et élevée, résistance à l'usure élevée
Application :
Gaufrette de Semicondutor, puce menée, vitrail optique, céramique électronique
Industrie :
Verre mené et optique, gaufrette eli-prête
Définition

Douceur élevée plate et propreté élevée Sapphire Substrate For Semiconductor de C

 

Les gaufrettes de saphir sont principalement appropriées à la recherche et développement de nouveaux dispositifs de semi-conducteur, offrant des caractéristiques élevées telles que la douceur élevée et la propreté élevée en plus des catégories standard de substrat traditionnel de saphir.

 

Caractéristiques principales

• Dureté de haute résistance et élevée, résistance à l'usure élevée (dureté en second lieu seulement au diamant)

• Transmittance élevée (transmittance légère dans l'ultraviolet à la gamme infrarouge)

• Résistance à la corrosion élevée (tolérance élevée à l'acide, à l'alcali, au plasma)

• Isolation élevée (isolateur, non faciles de conduire l'électricité)

• Conductivité de chaleur de résistance du feu vif (point de fusion 2050℃) (40 fois de verre)

 

Spécifications

• La taille standard (φ2 « , 3", 4", 6", 8", 12 "), toute autre taille spéciale, forme faisante le coin et d'autres formes peuvent correspondre.

• Peut correspondre à un grand choix d'orientation plate : c-avion, r-avion, m-avion, un-avion

• Meulage double face, meulage à simple face

• Poinçon personnalisable

 

Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de CDouceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de CDouceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C

 

Crystal Materials 99 996% d'Al2O3, grande pureté, monocristalline, Al2O3  
Qualité en cristal Les inclusions, les drapeaux bloc, les jumeaux, la couleur, les microboules et les centres de dispersion sont inexistants  
Diamètre 2inch 3inch 4inch 5inch | 7inch  
50.8± 0.1mm 76.2±0.2mm 100±0.3mm Selon les dispositions de la production en série  
 
Épaisseur 430±15µm 550±15µm 650±20µm Peut être adapté aux besoins du client par le client  
Orientation C- avion (0001) au M-avion (1-100) ou au l'Un-avion (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°, R-avion (1-1 0 2), Un-avion (1 1-2 0), M-avion (1-1 0 0), toute orientation, tout angle  
Longueur plate primaire 16.0±1mm 22.0±1.0mm 32.5±1.5 millimètre Selon les dispositions de la production en série  
Orientation plate primaire ± 0.2° du l'Un-avion (1 1-2 0)  
TTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
LTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
TIR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
ARC ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Chaîne ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Front Surface Epi-poli (Ra< 0="">  
Surface arrière La terre fine (Ra=0.5 à µm 1,2), Epi-polie (Ra< 0="">  
Note Peut fournir la gaufrette de haute qualité de substrat de saphir selon l'exigence spécifique des clients  

 

PROPRIÉTÉS PHYSIQUES

Densité 3,97 g/cm3
Point de fusion 2040 degrés de C
Conduction thermique 27,21 avec (m X K) à 300 K
Dilatation thermique 5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K
Dureté Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g
Capacité de chaleur spécifique 419 j (kilogramme X K)
Constante diélectrique 11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz
Module de Young (e) 335 GPa
Module (G) de cisaillement 148,1 GPa
Module de compressibilité (k) 240 GPa
Coefficients élastiques C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148
Limite d'élasticité apparente MPA 275 (40 000 livres par pouce carré)
Coefficient de Poisson 0,25

 

Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C

 

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Saphir (Al2O3)
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La Chine
MOQ :
5 morceaux
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux/mois
Délai de livraison :
1-4 semaines
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Douceur et propreté élevées plates Sapphire Substrate For Semiconductor de C
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shanghai, hangzhou
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Trading Company
Produits principaux :
Plaquette piézoélectrique, Gaufrette LiNbO3, Gaufrette LiTaO3
Total annuel :
800M-1500M
Nombre de salariés :
10~99
Niveau de certification :
Verified Supplier
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