Les spécifications
Number modèle :
Saphir (Al2O3)
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5 morceaux
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux/mois
Délai de livraison :
1-4 semaines
Détails de empaquetage :
Cassette, pot, paquet de film
Matériel :
Sapphire Wafer
Méthode de croissance :
Méthode de Kyropoulos
Point de fusion :
°C 2040
Conduction thermique :
27,21 avec (m X K) à 300 K
CTE :
5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K
Dureté :
Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g
Capacité de chaleur spécifique :
419 j (kilogramme X K)
Const diélectrique. :
11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz
Définition

Sapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 pouces

 

Le saphir est un monocristal d'alumine et est le matériel deuxième-le plus dur en nature, après diamant. Le saphir a la bonne transmittance légère, de haute résistance, résistance de collision, la résistance à l'usure, résistance à la corrosion et la résistance de haut température et à haute pression, biocompatibility, est un matériel idéal de substrat pour la production des dispositifs optoélectroniques de semi-conducteur, les propriétés électriques du saphir la faire devenir le matériel de substrat pour la production de la LED blanche et bleue.

 

Sapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 poucesSapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 poucesSapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 pouces

 

Article

C-avion 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99 999%, grande pureté, Al2O3 monocristallin

Catégorie

Principal, Epi-prêt

Orientation extérieure

C-avion (0001)

-angle de C-avion vers le M-axe 0,2 +/- 0.1°

Diamètre

76,2 millimètre +/- 0,1 millimètres

Épaisseur

μm 500 +/- μm 25

Orientation plate primaire

Un-avion (11-20) +/- 0.2°

Longueur plate primaire

22,0 millimètre +/- 1,0 millimètres

Latéral simple poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(SSP)

Surface arrière

La terre fine, Ra = 0,8 μm au μm 1,2

Double latéral poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(DSP)

Surface arrière

Epi-poli, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

ARC

< 15="">

CHAÎNE

< 15="">

Nettoyage/emballage

Cleanroom de la classe 100 nettoyant et emballant sous vide,

25 morceaux dans un emballage de cassette ou emballage d'une seule pièce.

 

Article

C-avion 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99 999%, grande pureté, Al2O3 monocristallin

Catégorie

Principal, Epi-prêt

Orientation extérieure

C-avion (0001)

-angle de C-avion vers le M-axe 0,2 +/- 0.1°

Diamètre

100,0 millimètre +/- 0,1 millimètres

Épaisseur

μm 650 +/- μm 25

Orientation plate primaire

Un-avion (11-20) +/- 0.2°

Longueur plate primaire

30,0 millimètre +/- 1,0 millimètres

Latéral simple poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(SSP)

Surface arrière

La terre fine, Ra = 0,8 μm au μm 1,2

Double latéral poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(DSP)

Surface arrière

Epi-poli, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

ARC

< 20="">

CHAÎNE

< 20="">

Nettoyage/emballage

Cleanroom de la classe 100 nettoyant et emballant sous vide,

25 morceaux dans un emballage de cassette ou emballage d'une seule pièce.

 

Article

C-avion 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99 999%, grande pureté, Al2O3 monocristallin

Catégorie

Principal, Epi-prêt

Orientation extérieure

C-avion (0001)

-angle de C-avion vers le M-axe 0,2 +/- 0.1°

Diamètre

150,0 millimètre +/- 0,2 millimètres

Épaisseur

μm 1300 +/- μm 25

Orientation plate primaire

Un-avion (11-20) +/- 0.2°

Longueur plate primaire

47,0 millimètre +/- 1,0 millimètres

Latéral simple poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(SSP)

Surface arrière

La terre fine, Ra = 0,8 μm au μm 1,2

Double latéral poli

Front Surface

Epi-poli, Ra < 0="">

(DSP)

Surface arrière

Epi-poli, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

ARC

< 25="">

CHAÎNE

< 25="">

Nettoyage/emballage

Cleanroom de la classe 100 nettoyant et emballant sous vide,

25 morceaux dans un emballage de cassette ou emballage d'une seule pièce.

 

Sapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 pouces

 

Contrôle d'acceptation

Sapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 pouces

 

1. Le produit est fragile. Nous l'avons en juste proportion emballé et l'avons marqué fragile. Nous livrons par d'excellentes sociétés de messagerie domestiques et internationales pour assurer la qualité de transport.

 

2. Après réception des marchandises, manipulez svp avec soin et vérifiez si le carton externe est en bon état. Ouvrez soigneusement le carton externe et vérifiez si les caisses d'emballage sont alignées. Prenez une photo avant que vous les enleviez.

 

3. Veuillez ouvrir l'emballage sous vide dans une salle propre quand les produits doivent être appliqués.

 

4. Si les produits sont trouvés endommagés pendant le messager, prenez svp une photo ou enregistrez une vidéo immédiatement. Ne prenez pas les produits endommagés hors de la boîte de empaquetage ! Contactez-nous immédiatement et nous résoudrons le problème bien.

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Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux/mois
Délai de livraison :
1-4 semaines
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Sapphire Polished Wafer de haute résistance cristal optique de C-avion de 3 pouces
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shanghai, hangzhou
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Trading Company
Total annuel :
800M-1500M
Nombre de salariés :
10~99
Niveau de certification :
Verified Supplier
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