Les spécifications
Number modèle :
Gaufrette de LNOI
Point d'origine :
LA CHINE
MOQ :
25 PIÈCES
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
50000 PCS/Month
Délai de livraison :
1-4 semaines
Détails de empaquetage :
Paquet de pot de cassette, fermé sous vide
Produit :
LiTaO3 sur l'isolateur
Diamètre :
4 pouces, Φ100mm
Couche supérieure :
Tantalate de lithium
Épaisseur supérieure :
300~600nm
Insolation :
Oxyde SiO2 thermique
Épaisseur d'insolation :
2000±15nm ; 3000±50nm ; 4700±100nm
Substrat :
gaufrette de silicium
Application :
Guides d'ondes optiques et Microwaveguides
Définition

Ouvrir le potentiel du tantalate de lithium sur l'isolateur (LTOI) pour des applications photoniques avancées

 

LTOI représente le tantalate de lithium sur l'isolateur, est une technologie spécialisée de substrat utilisée dans le domaine du photonics intégré. Il implique le transfert d'une couche mince de cristal du tantalate de lithium (LiTaO3) sur un substrat isolant, typiquement le silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4). Les substrats de LTOI offrent des avantages uniques pour le développement des dispositifs photoniques compacts et performants.

 

Des substrats de LTOI sont créés par un processus de collage où une couche mince de cristal de tantalate de lithium est transférée sur un substrat isolant. Ce processus peut être réalisé par de diverses techniques, y compris la liaison de gaufrette ou l'ion-coupe, assurant un lien fort entre les couches.

 

Les substrats de LTOI offrent des avantages uniques pour des applications photoniques avancées. Leur utilisation dans les modulateurs électrooptiques, les guides d'ondes, les circuits optiques non linéaires, les capteurs, le photonics de quantum, et des circuits photoniques intégrés démontre le large éventail d'applications et le potentiel pour pousser les frontières de la technologie intégrée de photonics.

 

 

Gaufrette de LTOI
Structure LiTaO3/SiO2/SI LTV/PLTV < 1="">) du millimètre2du 5/95%
Diamètre ± Φ100 0,2 millimètres Bord Exclution 5 millimètres
Épaisseur 500 μm du ± 20 Arc À moins du μm 50
Longueur plate primaire ± 47,5 2 millimètres
± 57,5 2 millimètres
Règlage de bord ± 2 0,5 millimètres
Tailler de gaufrette R de type Ambiant Rohs 2,0
LT supérieur Layer
Épaisseur moyenne 400/600±10 nanomètre Uniformité < 40nm="">
Index de réfraction aucun > 2,2800, Ne < 2=""> Orientation ± 0.3° d'axe de Z
Catégorie Optique Ra extérieur < 0="">
Défauts >1mm aucun ;
1millimètreà moinsde300totaux
Décollement Aucun
Éraflure >1cm aucun ;
1cmà moinsde3
Appartement primaire Perpendiculaire à + ± 1° d'axe des ordonnées
Isolement SiO2 couches
Épaisseur moyenne 2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nm Uniformité <>
Ouvrier. Méthode Oxyde thermique Index de réfraction 1.45-1.47 @ 633 nanomètre
Substrat
Matériel SI Orientation <100> ± 1°
Orientation plate primaire <110> ± 1° Résistivité > kΩ 10·cm
Contamination de postérieur Aucune tache évidente Postérieur Gravure à l'eau forte

 

 

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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

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4 Années
shanghai, hangzhou
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Trading Company
Total annuel :
800M-1500M
Nombre de salariés :
10~99
Niveau de certification :
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