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Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET P-Chan des pièces IRFR9214PBF d'aviation 250 V
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Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET P-Chan des pièces IRFR9214PBF d'aviation 250 V
Les spécifications
Number modèle :
IRFR9214PBF
MOQ :
PCs 1
Conditions de paiement :
L/C, T/T
Détails de empaquetage :
boîtes
Fabricant : :
VISHAY
Catégorie de produit :
Transistor MOSFET
Technologie :
SI
Montage du style :
SMD/SMT
Paquet/cas :
TO-252-3
Polarité de transistor :
P-canal
Identification - Courant continu de drain :
2,7 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :
3 ohms
Définition

Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Tension de claquage 250 V


Descriptions des pièces d'aviation :

Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une faible résistance à l'état passant par zone de silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.Le DPAK est conçu pour un montage en surface à l'aide de techniques de soudage en phase vapeur, infrarouge ou à la vague.La version à pas droit (séries IRFU, SiHFU) est destinée aux applications de montage traversant.Des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 W sont possibles dans les applications de montage en surface typiques.

Caractéristiques des pièces d'aviation :

  • Technologie de processus avancée
  • Entièrement classé avalanche
  • Montage en surface (IRFR9214, SiHFR9214)
  • Câble droit (IRFU9214, SiHFU9214)
  • Canal P
  • Commutation rapide


Spécifications des pièces d'aviation :

Attribut de produitValeur d'attribut
Fabricant:Vishay
Catégorie de produit:MOSFET
RoHS :Détails
Technologie:Si
Style de montage :CMS/CMS
Paquet/Boîte :TO-252-3
Polarité des transistors :Canal P
Nombre de canaux:1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source :250V
Id - Courant de drain continu :2,7 A
Rds activé - Résistance drain-source :3 ohms
Vgs - Tension porte-source :- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :4V
Qg - Frais de porte :14 nC
Température de fonctionnement minimale :- 55 C
Température de fonctionnement maximale :+ 150 C
Pd - Dissipation de puissance :50W
Mode Canal :Renforcement
Série:IRFR/U
Emballage:Tube
Marque:Vishay Semiconducteurs
Configuration:Seul
Hauteur:2,38 millimètres
Longueur:6,73 millimètres
Type de produit:MOSFET
Quantité de l'emballage d'usine :3000
Sous-catégorie :MOSFET
Largeur:6,22 millimètres
Unité de poids:0,011640 oz



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Détails du produit
Number modèle :
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MOQ :
PCs 1
Conditions de paiement :
L/C, T/T
Détails de empaquetage :
boîtes
Fabricant : :
VISHAY
Catégorie de produit :
Transistor MOSFET
Fournisseur de contact
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XIXIAN FORWARD TECHNOLOGY LTD

Active Member
3 Années
Shaanxi
Depuis 2010
Type d'entreprise :
Exporter, Trading Company, Seller
Produits principaux :
Pièces d'aviation, Monoculaire d'imagerie thermique, Module de télémètre de laser
Total annuel :
7.39 million-8.66 million
Nombre de salariés :
50~55
Niveau de certification :
Active Member
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