Les spécifications
Numéro de modèle :
G12180-010A
Lieu d'origine :
Le Japon
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité à fournir :
2200
Délai de livraison :
3 jours
Détails de l'emballage :
Conserves
la zone sensible est :
φ1 mm
le nombre de pixels est :
1
Encapsulation :
Métal
Type d'encapsulation :
TO-18
Définition

Description du produit:

G12180-010A Photodiode PIN à base d'indium gallium et d'arsenic

Caractéristiques:

spécificité

- Faible bruit, faible courant sombre

- Faible capacité de jonction

- Surface réceptrice: φ1 mm

- Faible bruit

Surface réceptrice φ1,0 mm

Nombre de pixels 1

Métal d'encapsulation

Catégorie de colis TO-18

Type non refroidi de dissipation de chaleur

Plage de longueur d'onde de sensibilité de 0,9 à 1,7 μm

Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 1,55 μm

Photosensibilité (valeur typique) 1,1 A/W

Courant sombre (max.) 4 nA

Fréquence de coupe (valeur typique) 60 MHz

Capacité de jonction (typique) 55 pF

Puissance équivalente bruit (valeur typique) 1,4 × 10-14 W/Hz1/2

valeur typique des conditions de mesure Tc = 25°C, sauf indication contraire, sensibilité: λ = λp, courant sombre: VR = 5V, fréquence de coupure: VR = 5V, RL = 50Ω, -3 dB, capacité de jonction: VR = 5V,f = 1MHz

Les spécifications:

Coolin Ne refroidis pas
Plage de réponse spectrale 00,9 à 1,7 μm
Longueur d'onde maximale (valeur typique) 10,55 μm
Sensitivité à la lumière (valeur typique) 0.9A /W

YJJ G12180-010A Photodiode à base d'indium gallium arsenic PIN

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YJJ G12180-010A Photodiode à base d'indium gallium arsenic PIN

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YJJ G12180-010A Photodiode à base d'indium gallium arsenic PIN
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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Verified Supplier
4 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Total annuel :
900000-1000000
Nombre de salariés :
50~80
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission