S8745-01 Capteur photoélectrique infrarouge pour instruments analytiques de précision et équipements de mesure industriels
1. Domaines d'application :
- Instruments analytiques de précision : Utilisé dans des appareils tels que les spectromètres ultraviolets (UV) - proche - infrarouge (NIR), les chromatographes et les photomètres pour la détection de signaux lumineux faibles. Il permet une mesure précise de l'absorption, de l'émission ou de la transmission de la lumière sur le spectre UV - NIR, ce qui facilite l'analyse quantitative dans des domaines tels que la chimie, la biologie et les sciences de l'environnement.
- Équipements de mesure industriels : Intégré dans les capteurs industriels pour surveiller des paramètres tels que l'épaisseur des films, la réflectivité de surface ou la composition des matériaux. Son faible bruit et sa grande sensibilité permettent une détection précise des variations subtiles de la lumière, assurant le contrôle qualité dans les processus de fabrication (par exemple, l'inspection des plaquettes de semi-conducteurs, la mesure de l'épaisseur des revêtements).
- Dispositifs de diagnostic médical : Appliqué dans les équipements médicaux tels que les dosages immunologiques, les analyseurs de chimie clinique ou les glucomètres non invasifs. Il peut détecter les signaux optiques faibles provenant de réactions biochimiques, ce qui permet la quantification précise des biomarqueurs ou d'autres analytes pour le diagnostic des maladies et la surveillance de la santé.
- Instruments de surveillance environnementale : Utilisé dans les appareils pour mesurer la qualité de l'air (par exemple, la détection des gaz traces par absorption optique), la qualité de l'eau (par exemple, l'analyse des concentrations de polluants) ou le rayonnement solaire. Sa large réponse spectrale (190–1100 nm) et sa faible puissance équivalente de bruit (NEP) le rendent adapté à la capture de faibles signaux lumineux environnementaux.
- Aérospatiale et recherche scientifique : Employé dans les capteurs aérospatiaux pour la détection du rayonnement spatial ou la télédétection atmosphérique, ainsi que dans les configurations de recherche en laboratoire pour l'étude des interactions lumière-matière, de l'optique quantique ou des expériences de physique à faible lumière.
2. Caractéristiques principales :
- Large réponse spectrale : Couvre une large plage de longueurs d'onde de 190–1100 nm (ultraviolet à proche infrarouge), ce qui le rend polyvalent pour les applications nécessitant une détection sur plusieurs bandes optiques.
- Performances ultra-faible bruit : Dispose d'une puissance équivalente de bruit (NEP) typique de 11×10−15W/Hz1/2, minimisant le bruit de fond et assurant un rapport signal sur bruit (SNR) élevé pour la détection de la lumière faible.
- Composants haute performance intégrés : Livré avec une résistance de contre-réaction intégrée (RF=1GΩ) et un condensateur (CF=5pF), ainsi qu'un amplificateur opérationnel à entrée FET à faible consommation. Cette intégration simplifie la conception des circuits, réduit le nombre de composants externes et assure une amplification stable du signal.
- Boîtier compact et blindé : Logé dans un petit boîtier métallique TO-5 avec une fenêtre en quartz. Le boîtier métallique offre un blindage de compatibilité électromagnétique (CEM) efficace, tandis que la fenêtre en quartz offre une transmittance élevée sur la plage spectrale du capteur, idéale pour les applications à espace limité.
- Haute résistance au bruit CEM : La surface sensible à la lumière est connectée à la borne GND, ce qui améliore la résistance aux interférences électromagnétiques (EMI). Cela garantit des performances fiables dans les environnements industriels ou électroniques bruyants.
- Réglage de gain flexible : Un gain variable peut être obtenu en ajoutant une résistance externe, ce qui permet aux utilisateurs d'adapter la sortie du capteur aux exigences spécifiques de l'application (par exemple, en ajustant la sensibilité pour différentes plages d'intensité lumineuse).
- Grande surface photosensible : Possède une surface photosensible de 2,4×2,4 mm, ce qui augmente l'efficacité de la collecte de la lumière et améliore la précision de la détection pour les sources de lumière diffusée ou de faible intensité.
| Numéro de pièce |
S8745-01 |
| Type de capteur |
Photodiode intégrée avec amplificateur opérationnel (compatible infrarouge et UV-NIR) |
| Fabricant |
Hamamatsu Photonics (Fournisseur typique) |
| Type de boîtier |
Boîtier métallique TO-5 |
| Matériau de la fenêtre |
Quartz (Haute transmittance pour UV-NIR) |
| Surface photosensible |
2,4 × 2,4 mm |
| Composants intégrés |
- Résistance de contre-réaction intégrée (RF) : 1 GΩ
- Condensateur de contre-réaction intégré (CF) : 5 pF
- Amplificateur opérationnel à entrée FET à faible consommation |
| Plage de réponse spectrale |
190 – 1100 nm |
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (λp) |
Typ. 960 nm |
| Puissance équivalente de bruit (NEP) |
Typ. 11×10−15 W/Hz¹/² |
| Tension inverse maximale (VR(max)) |
20 V |
| Plage de température de fonctionnement |
-10℃ – 60℃ |
| Plage de température de stockage |
-40℃ – 85℃ |
| Courant de polarisation d'entrée (amplificateur opérationnel) |
Typ. 1 pA |
| Plage de tension d'alimentation |
±5 V – ±15 V (Double alimentation) |
| Consommation électrique |
Typ. 3 mW |
| Compatibilité électromagnétique (CEM) |
Haute résistance au bruit CEM |
| Réglage du gain |
Variable (via résistance externe) |
| Type de sortie |
Tension analogique (signal amplifié) |
