Les spécifications
Numéro de modèle :
S12060 à 10
Quantité minimale de commande :
La norme
Capacité d'offre :
3 000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
La norme
Le type :
Type infrarouge proche
Secteur photosensible :
φ1 mm
Le paquet :
Métal
Catégorie de colis :
TO-18
Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique) :
800 Nm
Plage de réponse spectrale :
400 à 1000 Nm
Définition

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

 

 

Il s'agit d'un APD Si proche infrarouge de bande 800 nm qui peut fonctionner de manière stable sur une large plage de températures.

 

Caractéristiques
- Coefficient de température de tension de rupture: 0,4 V/°C
- Réponse à grande vitesse
- Haute sensibilité, faible bruit

 

Sensitivité (typique) 0.5 A/W
Courant sombre (maximum) 2 nA
Fréquence de coupe (typique) 600 MHz
Capacité terminale (typique) 6 pF
Voltage de rupture (typique) Pour l'électricité
Coefficient de température de tension de rupture (typique) 0.4 V/°C
Gain (typique) 100

 

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

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S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

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Numéro de modèle :
S12060 à 10
Quantité minimale de commande :
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Capacité d'offre :
3 000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
La norme
Le type :
Type infrarouge proche
Fournisseur de contact
S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium
S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium
S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium
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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Verified Supplier
4 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Total annuel :
900000-1000000
Nombre de salariés :
50~80
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission