S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium
Il s'agit d'un APD Si proche infrarouge de bande 800 nm qui peut fonctionner de manière stable sur une large plage de températures.
Caractéristiques
- Coefficient de température de tension de rupture: 0,4 V/°C
- Réponse à grande vitesse
- Haute sensibilité, faible bruit
Sensitivité (typique) | 0.5 A/W |
Courant sombre (maximum) | 2 nA |
Fréquence de coupe (typique) | 600 MHz |
Capacité terminale (typique) | 6 pF |
Voltage de rupture (typique) | Pour l'électricité |
Coefficient de température de tension de rupture (typique) | 0.4 V/°C |
Gain (typique) | 100 |