Les spécifications
Lieu d'origine :
Chine
Définition

Électrodes BDD: une révolution dans le traitement des eaux usées

Applications
Les électrodes BDD (Boron-Doped Diamond) excèlent dans la dégradation des polluants organiques complexes dans les industries:

  • Déchets pharmaceutiques/chimiques

  • Produits secondaires de la pétrochimie et de la cokerie

  • Les colorants textiles et les effluents de bronzage

  • Déchets de décharges et résidus d'explosifs

  • Pâte/papier et eaux usées de distillerie



Je ne veux pas. Nom du produit Substrats Spécifications Unité
1 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 5*5*0,55 mm Une pièce
2 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 5*5*1,0 mm
2 trous ouverts
Une pièce
3 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 5*5*1,0 mm
4 trous ouverts
Une pièce
4 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 8*6*1
Les fentes
Une pièce
5 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 7*7*0,5 mm Une pièce
6 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 10*10*0,625 mm Une pièce
7 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 10*10*0,625 mm Une pièce
8 électrode BDD d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm 10*10*0,5 mm Une pièce


 

Avantages en matière de performance

  • Une efficacité supérieure: Surpasse les électrodes PbO2/Pt en dégradation organique avec une consommation d'énergie 30% inférieure

  • Génération d'ozone écologiquement sûre: production d'ozone sans électrolyte pour la purification de l'eau

  • Une extrême durabilité: Résistant à la corrosion dans des environnements chimiques agressifs


Électrode BDD. Électrode BDD monocristalline diamantée haute performance pour le traitement et la purification de l'eau.


Propriétés des semi-conducteurs

  • Ultra large bande: 5,47 eV (5 × silicium ′s 1,1 eV) permet le fonctionnement de l'appareil à haute température/haute fréquence

  • Conductivité thermique: 2 200 W/mK (5 × cuivre) réduit la taille/poids des composants dans les amplificateurs et les lasers

  • Mobilité des électrons: Mobilité des trous la plus élevée parmi les matériaux à large bande, idéale pour les circuits intégrés à ondes millimétriques

Mesures techniques

  • L'indice Johnson: 8 200 (contre 410 pour le SiC)

  • Indice Baliga: Optimale pour les systèmes de commutation de puissance

  • Affinité négative des électrons: permet des applications à cathode froide


Diamante polycristalline CVD: gestion thermique redéfinie

Principales caractéristiques

  • Conductivité thermique réglable: 1 000 ‰ 1 800 W/mK (9 × silicium ‰ 139 W/mK)

  • Ingénierie de précision:

    • Tolérance d'épaisseur: ± 25 μm

    • Surface plate: < 4 μm/cm

    • Finition latérale de croissance: < 100 nm Ra

    • Finition latérale de nucléation: < 30 nm Ra

Spécifications standard

  • Les dimensions: jusqu'à Ø65 mm (personnalisable)

  • Épaisseur:

    • Produits bruts: 0,3 à 1,5 mm

    • Polissage: 0,2 ∼ 1,0 mm

  • Densité: 3,5 g/cm3

  • Module du jeune: 1 000 à 1 100 GPa

Applications thermiques

  • Dispositifs de diodes laser à haute puissance

  • Disperseurs de chaleur à circuits intégrés

  • Solutions thermiques compactes pour l'électronique aérospatiale

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Shaper Diamond Technology Co., Ltd

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