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cibles de pulvérisation de molybdène de 20mm pour les produits de molybdène de disque de molybdène de cible de molybdène d'industrie de semi-conducteur
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Les spécifications
Number modèle :
Coutume
Point d'origine :
LA CHINE
MOQ :
1kg
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
2000kgs/month
Délai de livraison :
7~10 jours de travail
Détails de empaquetage :
caisse de contreplaqué
nom :
Cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur
Matériel :
Molybdène et alliage de molybdène
Pureté :
99,95%
Densité :
10.2g/cm3
Épaisseur :
<20mm>
Diamètre :
<300mm>
Surface :
Poli
Norme :
ASTM B386
Définition

Cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur

 

1. Description des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :

 

Le molybdène est un métal réfractaire souple avec des qualités mécaniques exceptionnelles, un bas coefficient d'expansion, la conduction thermique forte, et la conductivité électrique particulièrement élevée à températures élevées. Il y a de nombreuses combinaisons qui peuvent être employées en tant que cibles de pulvérisation, y compris les cibles pures de molybdène, les cibles titaniques de molybdène, les cibles de tantale de molybdène, et les cibles d'alliage de molybdène (telles que le plat de TZM).

 

Les matériaux ont employé pour des semi-conducteurs incluent les cibles pures en métal telles que le tungstène, le molybdène, le niobium, le titane, et le silicium, en plus aux substances comme des oxydes ou des nitrures. Aussi crucial comme paramètres d'emploi de dépôt que les ingénieurs et les scientifiques parfaits dans tout le processus de revêtement sont la procédure de sélection matérielle.

 

2. Taille des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :

 

Épaisseur : <20mm>

Diamètre : <300mm>

Surface : Poli

Norme : ASTM B386

 

L'autre taille peut être traitée selon le dessin du client.

 

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3. Contenu chimique des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :

 

Analyse quantitative
Élément Ni Magnésium Fe Pb Al Bi SI Cd Ca P
Concentration (%) 0,003 0,002 0,005 0,0001 0,002 0,0001 0,002 0,0001 0,002 0,001
Élément C O N Sb Sn          
Concentration (%) 0,01 0,003 0,003 0,0005 0,0001          
Pureté (socle métallique) MOIS ≥99.95%
Élément Ni Magnésium Fe Pb Al Bi SI Cd P
Concentration (%) 0,0014 <0> 0,0047 <0> 0,0002 <0> <0> <0> <0>
Élément C N Sb Sn Cu        
Concentration (%) 0,0021 0,03 <0> <0> <0>        
Pureté (socle métallique) MOIS ≥99.97

 

4. Propriétés physiques et mécaniques des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :
 
Propriétés Molybdène pur Molybdène enduit Alliage à hautes températures de molybdène
Coefficient atomique 42    
Poids atomique (m) 95,95    
Constante de trellis (a) cube centré par corps 3,14' 10-10    
Densité (r) 10.2g/cm3    
Point de fusion (t) 2620±10℃    
Point d'ébullition (t) 4800℃    
Coefficient linéaire d'expansion (a1) 20℃ 5,3' 10-6/K 5,3' 10-6/K 5,3' 10-6/K
20-1000℃ 5,8' 10-6/K 5,8' 10-6/K 5,8' 10-6/K
20-1500℃ 6,5' 10-6/K 6,5' 10-6/K 6,5' 10-6/K
La chaleur spécifique (u) 20℃ 0.25J/g·K 0.25J/g·K 0.25J/g·K
1000℃ 0.31J/g·K 0.31J/g·K 0.31J/g·K
2000℃ 0.44J/g·K 0.44J/g·K 0.44J/g·K
Conduction thermique (l) 20℃ 142 W/m·K 142 W/m·K 126 W/m·K
1000℃ 105 W/m·K 105 W/m·K 98 W/m·K
1500℃ 88 W/m·K 88 W/m·K 86 W/m·K
Résistivité (r) 20℃ 0.052mWm 0.065mWm 0.055mWm
1000℃ 0.27mWm 0.28mWm 0.31mWm
1500℃ 0.43mWm 0.43mWm 0.45mWm
2000℃ 0.60mWm 0.63mWm 0.66mWm
Énergie rayonnante 730℃ 5500.0W/m2    
1330℃ 6300.0W/m2    
1730℃ 19200.0W/m2    
2330℃ 700000.0W/m2    
Section transversale thermique d'absorption de neutrons 2,7' 10-28m2 2,7' 10-28m2 2,7' 10-28m2
Résistance à la traction (Sb) plat de 0.10-8.00mm 590~785MPa 450~520MPa 690~1130MPa
fil f0.80 1020MPa 1570MPa  
Limite conventionnelle d'élasticité (S0.2) plat de 0.10-8.00mm 540~620MPa 290~360MPa 620~1000MPa
Élongation (%) plat de 0.10-8.00mm 3~17 15~75 2~8
fil f0.80 1,5 2  
Module élastique (E) 20℃ 320GPa 320GPa 320GPa
1000℃ 270GPa 270GPa 270GPa
Dureté (HV10) Plat de déformation de <70% 200~280   240~340
Plat de déformation de >70% 260~360   300~450
Plat recristallisé 140~160 170~190 <200
la température de transition Plastique-fragile (T) -40~40℃
La température initiale de recristallisation (T) le plat 1h de >90%Deformation a recuit 900℃ 1400℃ 1250℃
la température finale de recristallisation (T) Recuit par 1 1200℃ 1700℃ 1600℃

 

5. caractéristiques des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :

 

Le revêtement pulvérisé adhère aux techniques que conventionnelles meilleures de dépôt de substrat, et les matériaux avec les températures très de fusion élevée, comme le molybdène et le tungstène, sont très simples pour pulvériser. En plus, tandis que l'évaporation peut seulement être faite du fond pour compléter, la pulvérisation peut être faite de deux manières.

 

Les cibles de pulvérisation sont fréquemment arrondies ou rectangulaires, bien qu'il y ait également des options carrées et triangulaires disponibles. Le substrat est l'article qui doit être enduit, et il pourrait être quelque chose des piles solaires aux composants optiques aux gaufrettes de semi-conducteur. Le revêtement s'étend typiquement dans l'épaisseur des angströms aux microns. La membrane peut se composer d'un matériel simple ou de plusieurs matériaux empilés dans les couches.

 

Grandes à propriétés de pureté, à haute densité, fines, et cohérentes de grain sont présentes dans des cibles de pulvérisation de molybdène, ayant pour résultat l'efficacité extrêmement élevée de pulvérisation, l'épaisseur de film homogène, et une surface de gravure à l'eau-forte propre dans tout le processus de pulvérisation.

 

 

 

 

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Shaanxi Peakrise Metal Co.,Ltd

Site Member
4 Années
Shaanxi, baoji
Depuis 2010
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter
Produits principaux :
Alliage de fer au nickel de tungstène, Alliage de tungstène de molybdène, Alliage de cuivre de tungstène
Total annuel :
1000000-5000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Site Member
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