Haute performance Ion Source Head Tungsten et composants adaptés aux besoins du client par molybdène

Tungstène et spécification des pièces usinée par molybdène :

Application :

L'implantation ionique de semi-conducteur est une nouvelle technologie de modification de surface du matériau. Elle a été très utilisée en dopage des matériaux de semi-conducteur, modification extérieure des métaux, céramique, polymères etc. C'est une technique nécessaire dans le circuit intégré de fabrication contemporain de large échelle.

Propriété matérielle :

Les composants de tungstène et de molybdène de Sanhui utilisés dans l'implantation ionique ont la grande pureté, bonnes propriétés mécaniques à assurer qu'ils conviennent au traitement des composants de chambre d'arc avec des formes complexes.

La chambre d'arc de tungstène et de molybdène de grande pureté est la garantie de base pour le rendement de puce de semi-conducteur.

Cas de succès :

Sanhui est équipé de l'équipement complet pour traiter les matériaux réfractaires, et peut fournir à des clients des plats, des feuilles, des barres, des tiges et des composants complexes faits à partir des matériaux réfractaires en métal tels que le tungstène, le molybdène, le tantale, le niobium et leurs alliages.

Sanhui peut fournir des produits de tungstène et de molybdène utilisés dans la grand-poutre, la milieu-poutre et les sources d'ions de grande énergie ; capable fournir les composants de source d'ions de tungstène, les pièces d'implantation ionique de grand-poutre de tungstène ou de molybdène, et les composants de grande énergie de source d'ions de milieu-poutre de molybdène.

Les produits ont été fournis à de principaux fabricants à Taïwan, les Etats-Unis et d'autres pays et régions.