K9F4G08U0D-SIB0 Samsung Chip Component Assembled

Les informations détaillées :

1, nom de partie : Chip Component

2, modèle : K9F4G08U0D-SIB0

3, marque : Samsung

4, condition : Nouveau original

5, origine : Coréen

• Fabricant Part Number :

  K9F4G08U0D-SIB0000

• Code de Rohs :

  Oui

• Code de cycle de vie de partie :

  Obsolète

• Description de paquet :

  LANCEMENT DE 12 X 20 MILLIMÈTRES, DE 0,50 MILLIMÈTRES, HALOGÈNE ET SANS PLOMB, EN PLASTIQUE, TSOP1-48

• Fabricant :

  Semi-conducteur de Samsung

• Rang de risque :

  5,84

• Access Temps-maximum :

  25 NS

• Interface utilisateurs de commande :

  OUI

• Vote de données :

  NON

• Code JESD-30 :

  R-PDSO-G48

• Longueur :

  18,4 millimètres

• Densité de mémoire :

  bit 4294967296

• Type d'IC de mémoire :

  ÉCLAIR

• Largeur de mémoire :

  8

• Nombre de fonctions :

  1

• Nombre de secteurs/taille :

  4K

• Nombre de terminaux :

  48

• Nombre de mots :

  536870912 mots

• Nombre de code de mots :

  512000000

• Mode opérationnel :

  ASYNCHRONE

• Opération Température-maximum :

  °C 85

• Température-minute fonctionnante :

  -40 °C

• Organisation :

  512MX8

• Matériel de corps de paquet :

  PLASTIC/EPOXY

• Code de paquet :

  TSOP1

• Code d'équivalence de paquet :

  TSSOP48, .8, 20

• Forme de paquet :

  RECTANGULAIRE

• Style de paquet :

  PETIT CONTOUR, PROFIL MINCE

• Taille de la page :

  mots 2K

• Parallèle/publication périodique :

  PARALLÈLE

• La température maximale de ré-écoulement (cel) :

  NON SPÉCIFIQUE

• Alimentations d'énergie :

  3/3.3 V

• Tension de programmation :

  3,3 V

• Statut de qualification :

  Non qualifié

• Prêt/occupé :

  OUI

• Taille-maximum posé :

  1,2 millimètres

• Taille de secteur :

  128K

• Actuel-maximum de réserve :

  0,00005 A

• Sous-catégorie :

  Souvenirs instantanés

• Approvisionnement Actuel-maximum :

  0,03 mA

• Approvisionnement Tension-maximum (Vsup) :

  3,6 V

• Tension-minute d'approvisionnement (Vsup) :

  2,7 V

• Tension-Nom d'approvisionnement (Vsup) :

  3,3 V

• Bâti extérieur :

  OUI

• Technologie :

  CMOS

• Catégorie de la température :

  INDUSTRIEL

• Forme terminale :

  AILE DE MOUETTE

• Lancement terminal :

  0,5 millimètres

• Position terminale :

  DOUBLE

• Ré-écoulement de Time@Peak (s) Température-maximum :

  NON SPÉCIFIQUE

• Peu à bascule :

  NON

• Type :

  TYPE DE NON-ET

• Largeur :

  12 millimètres