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SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données
SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données
Les spécifications
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
Demandez
Conditions de paiement :
T/T à l'avance (EXW)
Capacité à fournir :
600KK par an
Délai de livraison :
2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Détails de l'emballage :
Tube+Carton
Type de dispositif :
Diode de barrière Sic Schottky
Vitesse de changement :
Commutation à grande vitesse
Applications :
SMPS, onduleur solaire, centre de données, alimentation
Les avantages :
Exigences de faible dissipation de chaleur
Définition

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

 

Caractéristiques
·Récupération inverse négligeable
·Current de surtension élevée
·Coefficient de température positif
·Fréquence plus élevée
·sans halogène / conforme à la réglementation RoHS

 

Applications
·SMPS
·Invertisseur solaire
·Centre de données
·UPS
 
Les avantages
·Commutation à grande vitesse
·Faibles exigences en matière de dissipation de chaleur
·Réduire la taille et le coût du système
·Haute fiabilité
 
 
SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données
 
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SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

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Détails du produit
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
Demandez
Conditions de paiement :
T/T à l'avance (EXW)
Capacité à fournir :
600KK par an
Délai de livraison :
2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Détails de l'emballage :
Tube+Carton
Fournisseur de contact
SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Active Member
1 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2012
Produits principaux :
Invertisseur IGBT, IGBT à haute puissance, Transistor MOSFET de puissance élevée
Total annuel :
>40000000
Nombre de salariés :
>200
Niveau de certification :
Active Member
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