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Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence
Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence
Les spécifications
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
Demandez
Conditions de paiement :
T/T à l'avance (EXW)
Capacité à fournir :
600KK par an
Délai de livraison :
2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Détails de l'emballage :
Tube+Carton
Vitesse de changement :
Vitesse de commutation plus rapide
Nom du produit :
IGBT à haute puissance
Application du projet :
OBC, pile de charge, machine à souder, alimentation électrique par commutation, onduleur photovoltaï
Avantages :
Conception de plateau étroit, conception de combinaison de rainures plus optimisée, conception de fi
Type de dispositif :
IGBT
Le paquet :
TO-247
Définition

MOSFET à basse tension multifonctionnel pour la gestion de l'énergie

 

Caractéristiques
• Coefficient de température positif
• Commutation à grande vitesse
• Faible tension de saturation du collecteur à l'émetteur
• Facilité de commutation parallèle
• Le court-circuit résiste à 10 μs
• Des performances de résistance élevées

 

Applications
• Une centrale électrique portable
• conducteur automobile
 
Le paquet:
TO-247
 
 
 
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Capacité à fournir :
600KK par an
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2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Détails de l'emballage :
Tube+Carton
Fournisseur de contact
Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Active Member
1 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2012
Produits principaux :
Invertisseur IGBT, IGBT à haute puissance, Transistor MOSFET de puissance élevée
Total annuel :
>40000000
Nombre de salariés :
>200
Niveau de certification :
Active Member
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