Les spécifications
Number modèle :
W29N01HVSINA
Point d'origine :
original
MOQ :
3PCS
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram, paypal
Capacité d'approvisionnement :
6912pcs par bouche
Délai de livraison :
6-13 jours
Détails de empaquetage :
288Pcs/Reel
Catégorie de produit : :
NAND Flash /ECC
Description :
CCE 3V 128Mx8 de l'instantané 3V 1G-bit de non-et de NAND Flash 1Gbit
Certification : :
Paquet original d'usine
Garantie :
3 mois
Expédition par :
DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK \ TNT
Poids spécifique : :
0,324873 onces
Définition

CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory 1Gbit 2.7V à 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8

Caractéristiques

Attribut de produit Valeur d'attribut
SMD/SMT
1 Gbit
128 M X 8
bit 8
2,7 V
3,6 V
35 mA
- 40 C
+ 85 C

Description

 

La mémoire de W29N01HV (1G-bit) NAND Flash fournit à une solution de stockage pour les systèmes inclus l'espace, les goupilles et la puissance limités. Il est idéal pour le code ombrageant à RAM, applications à semi-conducteur et stockant des données de médias comme, la voix, la vidéo, le texte et des photos. Le dispositif fonctionne sur un 2.7V simple à l'alimentation de l'énergie 3.6V avec la consommation actuelle active comme bas comme 25mA 10uA pour le courant de réserve de CMOS.

Le W29N01HV soutient l'interface standard de mémoire instantanée de non-et utilisant l'autobus à 8 bits multiplexé pour transférer des données, des adresses, et des instructions de commande. Les cinq signaux de commande, CLE, BIÈRES ANGLAISES, #CE, #RE et #WE manipulent le protocole d'interface de bus. En outre, le dispositif a deux autres bornes de signal, le #WP (protection contre l'écriture) et le RY/#BY (prêt/occupé) pour surveiller le statut de dispositif.

Goupille TSOP1 (x8) de la tâche de Pin 48

CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory Ic 1Gbit 2.7V à 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8                                                               Goupille TSOP1 (code S du schéma 3-1 Pin Assignment 48 de paquet)

Caractéristiques

• Caractéristiques de base

– Densité : 1Gbit (solution simple de puce)

– Vcc : 2.7V à 3.6V – largeur d'autobus : x8

– Température de fonctionnement

• Industriel : -40°C à 85°C

• Technologie à niveau unique des cellules (SLC).

• Organisation – densité : 1G-bit/128M-byte

– Taille de la page

• 2 112 octets (2048 + 64 octets)

– Longueur de bloc

• 64 pages (octets 128K + 4K)

Guides marchands

                                                                
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Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
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 Nous fournissons DHL, Fedex, SME, SF exprès, et enregistré     Expédition internationale de la poste aérienne.

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garantie

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CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory Ic 1Gbit 2.7V à 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
5000000-1000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission