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IR2111 IC GATE DRVR DEMI-PONT 8DIP Infineon Technologies
IR2111 IC GATE DRVR DEMI-PONT 8DIP Infineon Technologies
Les spécifications
Number modèle :
IR2111
MOQ :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
en stock
Délai de livraison :
3-5 jours de travail
Détails de empaquetage :
boîte antistatique en sac et en carton
Configuration conduite :
Moitié-pont
Type de la Manche :
Synchrone
Nombre de conducteurs :
2
Type de porte :
IGBT, transistor MOSFET de N-canal
Tension - approvisionnement :
10V | 20V
Tension de logique - VIL, VIH :
8.3V, 12.6V
Actuel - production maximale (source, évier) :
250mA, 500mA
Type d'entrée :
Non-inverser
Tension latérale élevée - maximum (amorce) :
600 V
Temps de hausse/automne (type) :
80ns, 40ns
Température de fonctionnement :
-40°C | 150°C (TJ)
Montage du type :
Par le trou
Paquet/cas :
8-DIP (0,300", 7.62mm)
Paquet de dispositif de fournisseur :
8-PDIP
Définition

PORTE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Infineon Technologies d'IR2111 IC

Détails de produit

Description

L'IR2111 est un transistor MOSFET à haute tension et à grande vitesse de puissance et le conducteur d'IGBT avec le côté dépendant de ciel et terre a mis en référence des canaux de sortie conçus pour de demi applications de pont. HVIC de propriété industrielle et verrouiller des technologies immunisées de CMOS permettent la construction monolithique robuste. L'entrée de logique est compatible avec les sorties standard de CMOS. Les conducteurs de sortie comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix-conduction minimum de conducteur. Le deadtime interne est fourni pour éviter pousse-à travers dans le moitié-pont de sortie. Le canal de flottement peut être utilisé pour conduire un transistor MOSFET ou un IGBT de puissance de N-canal dans la configuration latérale élevée qui actionne jusqu'à 600 volts.

Caractéristiques

• Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
Complètement opérationnel à +600V
Tolérant à la tension passagère négative
dV/dt immunisé
• Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 10 à 20V
• Lock-out de sousvoltage pour les deux canaux
• Le CMOS Schmitt-a déclenché des entrées avec déroulant
• Retard de propagation assorti pour les deux canaux
• Deadtime intérieurement réglé
• Sortie latérale élevée dans la phase avec l'entrée
• SANS PLOMB en outre disponible

Caractéristiques

Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Infineon
Catégorie de produit Conducteurs de porte
Série -
Type Moitié-pont
Emballage Tube
Paquet-cas Par le trou
L'Actionner-température 80ns, 40ns
De type support -40°C | 150°C (TJ)
Fournisseur-Dispositif-paquet 8-DIP (0,300", 7.62mm)
Résolution-peu 2
Donnée-interface Synchrone
Tension-Approvisionnement-analogue Non-inverser
Tension-Approvisionnement-numérique 600V
Nombre-de-CDA-DACs
Sigma-delta 10 V | 20 V
S-n-rapport-CDA-DACs-DB-Typ 8.3V, 12.6V
Dynamique-Gamme-CDA-DACs-DB-Typ 250mA, 500mA

Descriptions

Conducteur IC Non-Inverting 8-DIP de porte de Moitié-pont
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IR2111 IC GATE DRVR DEMI-PONT 8DIP Infineon Technologies

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Détails du produit
Number modèle :
IR2111
MOQ :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
en stock
Délai de livraison :
3-5 jours de travail
Détails de empaquetage :
boîte antistatique en sac et en carton
Fournisseur de contact
IR2111 IC GATE DRVR DEMI-PONT 8DIP Infineon Technologies

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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