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PMDXB600UNE Transistors MOSFET à tranchée double canal N 20 V 6 XFDFN Package
PMDXB600UNE Transistors MOSFET à tranchée double canal N 20 V 6 XFDFN Package
Les spécifications
Numéro de modèle :
PMDXB600UNE
Lieu d'origine :
CN
Quantité minimum d'achat :
dix
Modalités de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Heure de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'' emballage :
6-XFDFN a exposé la protection
Numéro d'article :
PMDXB600UNE
Dissipation de puissance :
380 mW
Temps d'automne :
51 NS
Temps de montée :
9,2 NS
Qg - charge de porte :
PC 400
Nombre de canaux :
2 canaux
Définition

PMDXB600UNE Transistors MOSFET à tranchée double canal N 20 V 6-XFDFN

Description du produit de PMDXB600UNE

Le PMDXB600UNE est un transistor à effet de champ (FET) en mode d'amélioration à double canal N dans un boîtier en plastique ultra petit DFN1010B-6 (SOT1216) pour dispositif monté en surface (SMD) utilisant la technologie Trench MOSFET.

Spécification de PMDXB600UNE

État du produit

Actif

Type FET

2 canaux N (double)

Fonction FET

Porte de niveau logique

Tension drain à source (Vdss)

20V

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620 mOhms à 600 mA, 4,5 V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV à 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0,7 nC à 4,5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

21,3 pF à 10 V

Puissance - Max

265mW

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Montage en surface

Paquet/caisse

6-XFDFN Coussin exposé

Ensemble d'appareils du fournisseur

DFN1010B-6

Caractéristiques du PMDXB600UNE

  • Technologie MOSFET de tranchée
  • Boîtier en plastique SMD ultra petit et ultra fin sans plomb : 1,1 × 1,0 × 0,37 mm
  • Coussin de drainage exposé pour une excellente conduction thermique
  • Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) > 1 kV HBM
  • Résistance à l'état passant drain-source RDSo = 470 mΩ

Applications du PMDXB600UNE

  • Conducteur de relais
  • Conducteur de ligne à grande vitesse
  • Commutateur de charge côté bas
  • Circuits de commutation

Aperçu de l'emballage du PMDXB600UNE

PMDXB600UNE Transistors MOSFET à tranchée double canal N 20 V 6 XFDFN Package

FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
A:Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A:Oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés à votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
A: nous pouvons expédier des pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si sans stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.

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Détails du produit
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dix
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Heure de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'' emballage :
6-XFDFN a exposé la protection
Fournisseur de contact
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce de circuit intégré, BT IC, Modules des véhicules à moteur d'IGBT
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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