Les spécifications
Number modèle :
NTH4L022N120M3S
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-247-4
Numéro de la pièce :
NTH4L022N120M3S
Montage du style :
Par le trou
Nombre de canaux :
La 1 Manche
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :
30 mOhms
Vgs - tension de Porte-source :
- 10 V, + 22 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :
4,4 V
Définition

Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

 

Description de produit de NTH4L022N120M3S

Les transistors MOSFET de carbure de silicium de NTH4L022N120M3S (sic) sont une famille des transistors MOSFET planaires de 1200V M3S sic. Le NTH4L022N120M3S est optimisé pour des applications de rapide-commutation. La technologie planaire fonctionne sûrement avec les commandes négatives de tension de porte et arrête des transitoires sur la porte. Ces transistors MOSFET comportent la représentation optima une fois conduits avec une commande mais également le travail de la porte 18V bien avec une commande de la porte 15V.

 

Spécifications de NTH4L022N120M3S

Numéro de la pièce : NTH4L022N120M3S Type de FET : N-canal
Vidangez à la tension de source (Vdss) : 1200V Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : 68A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 18V Identification de Vgs (Th) (maximum) @ : 4.4V @ 20mA

 

Caractéristiques de NTH4L022N120M3S

  • Type. Le RDS (dessus) = 22 m @ VGS = 18 V
  • Basses pertes de changement (type. ÉON 490 J à 40 A, 800 V)
  • L'avalanche 100% a examiné
  • Ce dispositif est libre et RoHS haloïdes conforme avec l'exemption 7a,
  • Pb−Free 2LI (sur la deuxième interconnexion de niveau)

 

Applications typiques de NTH4L022N120M3S

  • Inverseurs solaires
  • Stations de charge de véhicule électrique
  • UPS (alimentations d'énergie non interruptible)
  • Systèmes de stockage de l'énergie
  • SMPS (alimentations d'énergie de mode de commutateur)

 

Schéma fonctionnel de NTH4L022N120M3S

Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

 

Diagramme de repérage de NTH4L022N120M3S

Les IC ébrèchent le N-canal 1200V 68A 352W des transistors MOSFET NTH4L022N120M3S par le trou TO-247-4L

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

PIC16LF873AT QFN
CGY1047 TO-59
IRFB4110GPBF TO-220
UCC28810DR SOP8
MAX8903AETI QFN28

LT1618EDD

DFN10

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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4 Années
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Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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