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sic transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBG120R045M1H du fossé 1200V
sic transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBG120R045M1H du fossé 1200V
Les spécifications
Number modèle :
IMBG120R045M1H
Point d'origine :
CN
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-263-8
Numéro de la pièce :
IMBG120R045M1H
Temps de tenue de court-circuit :
3 µs
Tension d'arrêt de porte :
0V
Qg - charge de porte :
46 OR
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :
5,7 V
Tension de seuil de porte de référence :
VGS (Th) = 4.5V
Définition

sic transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBG120R045M1H du fossé 1200V

 

Description de produit d'IMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H est transistor MOSFET de fossé de CoolSiC™ 1200V sic avec la technologie d'interconnexion de .XT.

 

Spécifications d'IMBG120R045M1H

Numéro de la pièce : IMBG120R045M1H
Sic
SMD/SMT
TO-247-7
1,2 kilovolts
47 A
45 mOhms
- 7 V, + 23 V

 

Caractéristiques d'IMBG120R045M1H

  • Le court-circuit résistent à des µs du temps 3
  • DV/dt entièrement contrôlable
  • Tension de seuil de porte de référence, VGS (Th) = 4.5V
  • Robuste contre parasite allumez-vous, 0V la tension que d'arrêt de porte peut être appliquée
  • Diode robuste de corps pour la commutation dure

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
MC44CC373CAEFR2 SOP16
HMC939LP4E QFN
AM79C984AJC PLCC84
RE46C141SW16TF SOP16
BSC190N15NS3G TDSON-8
UC2637DWTR SOP20


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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sic transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBG120R045M1H du fossé 1200V

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Détails du produit
Number modèle :
IMBG120R045M1H
Point d'origine :
CN
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-263-8
Fournisseur de contact
sic transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBG120R045M1H du fossé 1200V

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce de circuit intégré, BT IC, Modules des véhicules à moteur d'IGBT
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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