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Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT
Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT
Les spécifications
Number modèle :
IKW30N65ET7XKSA1
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-247-3
Numéro de la pièce :
IKW30N65ET7XKSA1
VCE :
650 V
Température de stockage :
-55 - °C 150
La température de soudure :
°C 260
Résistance thermique :
40 K/W
tension de Porte-émetteur :
±20 V
Définition

Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

 

Description de produit d'IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7XKSA1 est un court-circuit efficace IGBT discret rocailleux fournissant au moins la tension de saturation inférieure de 10% que d'autres.

 

Spécifications d'IKW30N65ET7XKSA1

Numéro de la pièce

IKW30N65ET7XKSA1

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC

1.65V @ 15V, 30A

Puissance - maximum

188 W

Énergie de changement

590µJ (dessus), 500µJ ()


Caractéristiques d'IKW30N65ET7XKSA1

  • IEM réduit

  • Conception robuste d'humidité

  • Diode antiparallèle de récupération très douce et rapide

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

MSC035SMA070B4

TO-247-4

QH8MA4TCR

DFN8

S25FL128SAGMFMR00

SOP16

S25FL064LABMFV011

SOP8

CY15B108QI-20LPXC

QFN

CY15B104QI-20LPXC

DIP8

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

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Détails du produit
Number modèle :
IKW30N65ET7XKSA1
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-247-3
Fournisseur de contact
Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce de circuit intégré, BT IC, Modules des véhicules à moteur d'IGBT
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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