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Arrêt de champ à grande vitesse de fossé des transistors IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A
Arrêt de champ à grande vitesse de fossé des transistors IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A
Les spécifications
Number modèle :
IKQ100N120CH7XKSA1
Point d'origine :
NC
Quantité minimum d'achat :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
PG-TO247-3-U01
numéro de la pièce :
IKQ100N120CH7XKSA1
Série :
TrenchStop™
Énergie de changement :
6.7mJ (dessus), 2.52mJ ()
Type d'entrée :
standard
Charge de porte :
696 OR
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C :
66ns/547ns
Définition

Arrêt de champ à grande vitesse de fossé des transistors IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

 

Description de produit d'IKQ100N120CH7XKSA1

L'IKQ100N120CH7XKSA1 dur-a commuté 1200 V, 100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 le dispositif que discret dans un paquet de goupille de TO-247PLUS 3 est conçu pour répondre aux besoins des applications à faible teneur en carbone telles que le picovolte solaire, alimentations d'énergie non interruptible et chargement de batterie.

 

Attributs de produit d'IKQ100N120CH7XKSA1

Numéro de la pièce
IKQ100N120CH7XKSA1
Type d'IGBT
Arrêt de champ de fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
1200 V
Actuel - collecteur (IC) (maximum)
166 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées)
400 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC
2.15V @ 15V, 100A
Puissance - maximum
721 W


Caractéristiques d'IKQ100N120CH7XKSA1

  • VCE = 1200 V
  • IC = 100 A
  • La température de jonction maximum Tvjmax = 175°C
  • IGBT à grande vitesse classe meilleure bourré Co avec le plein courant évalué, le bas Qrr et la diode à grande vitesse de doux-commutation
  • Basse tension de saturation VCEsat = 1,7 V à Tvj = à 25°C

 

Applications d'IKQ100N120CH7XKSA1

  • UPS industriel
  • EV-remplissage

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce Paquet
MSP1250G-5.0 TO-263
RS-100-24 24V4.5AC
BLM18HG102SH1D SMD
RPR-0400 SMD
MPU-9150 QFN24
SI7844DP-T1-E3 QFN8

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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Détails du produit
Number modèle :
IKQ100N120CH7XKSA1
Point d'origine :
NC
Quantité minimum d'achat :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
PG-TO247-3-U01
Fournisseur de contact
Arrêt de champ à grande vitesse de fossé des transistors IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce de circuit intégré, BT IC, Modules des véhicules à moteur d'IGBT
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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