Puce IXBH10N300HV 3000V MOS Transistor bipolaire monolithique 180W de circuit intégré
Description de produit d'IXBH10N300HV
IXBH10N300HV est BIMOSFETTM à haute tension et à gain élevé MOS Transistor bipolaire monolithique.
Spécifications d'IXBH10N300HV
Numéro de la pièce | IXBH10N300HV |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 3000 V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 34 A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 88 A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.8V @ 15V, 10A |
Puissance - maximum | 180 W |
Contour de paquet d'IXBH10N300HV
D'autres composants électroniques en stock
Numéro de la pièce | Paquet |
W681310RG | SSOP20 |
HMC821LP6CETR | QFN-40 |
MASW-000936-14000T | PQFN-16 |
TQP7M9101 | SOT-89 |
HMC713MS8ETR | MSOP8 |
HMC544AETR | SOT23-6 |
FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
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Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
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Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
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