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Transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de puissance de la puce IMBG65R163M1HXTMA1 de circuit intégré
Transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de puissance de la puce IMBG65R163M1HXTMA1 de circuit intégré
Les spécifications
Number modèle :
IMBG65R163M1HXTMA1
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-263-8
Numéro de la pièce :
IMBG65R163M1HXTMA1
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :
217mOhm @ 5.7A, 18V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :
5.7V @ 1.7mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :
10 OR @ 18 V
Vgs (maximum) :
+23V, -5V
Définition

Transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de puissance de la puce IMBG65R163M1HXTMA1 de circuit intégré

 

Description de produit d'IMBG65R163M1HXTMA1

D'IMBG65R163M1HXTMA1 SMD de contrat de paquet le transistor MOSFET sic, technologie de transistor MOSFET de CoolSiC™ augmente les avantages uniques de la représentation, de la robustesse et de la facilité d'utilisation de dispositif en maximisant les propriétés physiques puissantes du carbure de silicium.

 

Spécifications d'IMBG65R163M1HXTMA1

Numéro de la pièce : IMBG65R163M1HXTMA1
Série
CoolSIC™ M1
Type de FET
N-canal
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
650 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
17A (comité technique)


Caractéristiques d'IMBG65R163M1HXTMA1

  • Haute performance, fiabilité élevée et facilité d'utilisation
  • Densité d'efficacité de système élevée et de puissance élevée
  • Coût du système et complexité réduits
  • Créez des systèmes plus peu coûteux, plus simples et plus réduits

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
MAX72024C BGA924
MGA-13116 QFN
ADS42JB46IRGCR VQFN-64
MSP430F5310IZQE BGA80
MSP430F5328IZQE BGA80
STM32L485JCY6TR BGA

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

 
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Détails du produit
Number modèle :
IMBG65R163M1HXTMA1
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
TO-263-8
Fournisseur de contact
Transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de puissance de la puce IMBG65R163M1HXTMA1 de circuit intégré

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce de circuit intégré, BT IC, Modules des véhicules à moteur d'IGBT
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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