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2 gaufrettes de pouce de 4 GEs à pouce à l'électronique micro et à l'industrie électronique opto
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Les spécifications
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :
Dispositif de semi-conducteur, la microélectronique, capteur, pile solaire, optique d'IR.
Diamètre :
Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur :
500 um | 625 um
Catégorie :
Catégorie de l'électronique
Définition

Gaufrette de GE à l'industrie de la microélectronique et d'optoélectronique dans la gamme de diamètre de 2 pouces à 4 pouces

 

Nous sommes un fournisseur mondial de gaufrette de GE de monocristal (gaufrette de germanium) et lingot de GE de monocristal, nous avons un avantage fort en fournissant la gaufrette de GE à l'industrie de la microélectronique et d'optoélectronique dans la gamme de diamètre de 2 pouces à 4 pouces. La gaufrette de GE est une élémentaire et le matériel populaire de semi-conducteur, due à ses excellentes propriétés cristallographiques et à propriétés électriques uniques, gaufrette de GE est widly employé dans le capteur, la pile solaire et les applications infrarouges d'optique. Nous pouvons fournir de basses gaufrettes prêtes de GE de dislocation et d'epi pour répondre à vos besoins uniques de germanium. La gaufrette de GE est produite selon SEMI. standard et emballé dans la cassette standard avec fermé sous vide dans l'environnement de chambre propre, avec un système de bon contrôle de qualité, nous sommes consacrés à fournir les produits propres et de haute qualité de gaufrette de GE. Nous pouvons offrir la catégorie de l'électronique et la gaufrette de GE de catégorie d'IR, svp nous contactent pour plus d'information produit de GE

 

Crystal Germanium Wafer Capability simple

SWI peut offrir la catégorie de l'électronique et la gaufrette de GE de catégorie d'IR et le lingot de GE, svp nous contactent pour plus d'information produit de GE.
 

Conductivité Dopant Résistivité
(ohm-cm)		 Taille de gaufrette
Na Non dopé >= 30 Jusqu'à 4 pouces
Type de N Sb 0,001 | 30 Jusqu'à 4 pouces
Type de P GA 0,001 | 30 Jusqu'à 4 pouces

Applications :

Dispositif de semi-conducteur, la microélectronique, capteur, pile solaire, optique d'IR.

 

Propriétés de gaufrette de GE

 
Formule chimique GE
Structure cristalline Cubique
Paramètre de trellis a=0.565754
Densité (g/cm3) 5,323
Conduction thermique 59,9
Point de fusion (°C) 937,4

 

Spécifications produit

 
Croissance Czochralski
Diamètre Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur 500 um | 625 um
Orientation <100>/<111>/<110> ou d'autres
Conductivité P - type/N - type
Dopant Gallium/antimoine/non dopé
Résistivité 0,001 | 30 ohm-cm
Surface SSP/DSP
TTV <= 10 um
Arc/chaîne <= 40 um
Catégorie Catégorie de l'électronique

 

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Détails du produit
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Fournisseur de contact
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Années
henan, zhengzhou
Depuis 2007
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produits principaux :
Éléments de chauffe sic, Éléments de chauffe Mosi2, Pièces en céramique industrielles
Total annuel :
5000000-8000000
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Active Member
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