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Arséniure de gallium simple de gaufrette de Crystal Polycrystalline GaAs pour le circuit à micro-ondes de LD LED
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Les spécifications
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :
faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire
Diamètre :
Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur :
350 um | 625 um
Catégorie :
Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique
Définition

Gaufrette monocristal et polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) pour faire LD, LED, circuit à micro-ondes, pile solaire

 

Nous fournit la gaufrette monocristal et polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) à l'industrie d'optoélectronique et de microélectronique pour faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire, dans la gamme de diamètre à partir de 2" à 4". Nous offrons la gaufrette du monocristal GaAs produite par deux techniques principales LEC de croissance et méthode de VGF, nous permettant de fournir à des clients le choix le plus large du matériel de GaAs l'uniformité élevée des propertirs électriques et de l'excellente qualité extérieure. L'arséniure de gallium peut être fourni comme lingots et gaufrettes polies, conduisant et la gaufrette semi-isolante de GaAs, la catégorie mécanique et la catégorie prête sont toutes d'epi disponibles. Nous pouvons offrir la gaufrette de GaAs avec la valeur basse d'EPD et la qualité extérieure élevée appropriée à vos applications de MOCVD et de MBE, svp nous contactent pour plus d'information produit.

 

 

Caractéristique et application de gaufrette de GaAs

 

Caractéristique Champ d'application
Mobilité des électrons élevée Diodes électroluminescentes
Haute fréquence Diodes lasers
Efficacité de conversion élevée Dispositifs photovoltaïques
Consommation de puissance faible Haut transistor de mobilité des électrons
Espace de bande direct Transistor bipolaire d'hétérojonction

 

Spécifications produit

 
Croissance LEC/VGF
Diamètre Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur 350 um | 625 um
Orientation <100>/<111>/<110> ou d'autres
Conductivité P - type/N - type/semi-isolant
Dopant Zn/SI/non dopé
Surface Un côté a poli ou deux côtés polis
Concentration 1E17 | 5E19 cm-3
TTV <= 10 um
Arc/chaîne <= 20 um
Catégorie Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique

 

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La Chine
MOQ :
1 morceau
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L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
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3 jours ouvrables
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Années
henan, zhengzhou
Depuis 2007
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produits principaux :
Éléments de chauffe sic, Éléments de chauffe Mosi2, Pièces en céramique industrielles
Total annuel :
5000000-8000000
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Active Member
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